[发明专利]玻璃蚀刻液及玻璃蚀刻方法有效
| 申请号： | 201410451708.9 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104230175B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈志雄;杨顺林;廖昌;刘昆 | 申请（专利权）人： | 长沙市宇顺显示技术有限公司;深圳市宇顺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 玻璃 蚀刻 方法 | ||
1.一种玻璃蚀刻液，其特征在于，所述玻璃蚀刻液由按以下重量百分含量计的成分组成：全氟烷烃20～40％、盐酸10～15％和纯水45～70％；所述玻璃蚀刻液用于玻璃蚀刻时，包括对所述玻璃蚀刻液中的全氟烷烃进行电解的过程。
2.如权利要求1所述的玻璃蚀刻液，其特征在于：所述盐酸中HCl的质量百分含量为15～35％。
3.如权利要求1或2所述的玻璃蚀刻液，其特征在于，所述玻璃蚀刻液由按以下重量百分含量计的成分组成：
全氟烷烃20％、盐酸10％和纯水70％；或者，
全氟烷烃30％、盐酸10％和纯水60％；或者，
全氟烷烃35％、盐酸10％和纯水55％；或者，
全氟烷烃40％、盐酸15％和纯水45％。
4.一种玻璃蚀刻方法，其特征在于，包括：
按以下重量百分含量计的成分：全氟烷烃20～40％、盐酸10～15％和纯水45～70％制备玻璃蚀刻液；
采用所述玻璃蚀刻液蚀刻玻璃；所述玻璃蚀刻液用于玻璃蚀刻时，包括对所述玻璃蚀刻液中的全氟烷烃进行电解的过程。
5.如权利要求4所述的玻璃蚀刻方法，其特征在于：所述盐酸中HCl的质量百分含量为15～35％。
6.如权利要求4或5所述的玻璃蚀刻方法，其特征在于，所述玻璃蚀刻液由按以下重量百分含量计的成分组成：
全氟烷烃20％、盐酸10％和纯水70％；或者，
全氟烷烃30％、盐酸10％和纯水60％；或者，
全氟烷烃35％、盐酸10％和纯水55％；或者，
全氟烷烃40％、盐酸15％和纯水45％。
7.如权利要求4或5所述的玻璃蚀刻方法，其特征在于：所述蚀刻玻璃的过程中，所述玻璃蚀刻液的温度为20℃～60℃。
8.如权利要求4或5所述的玻璃蚀刻方法，其特征在于：所述玻璃在蚀刻槽内蚀刻，所述蚀刻槽内的温差在5％以内。
9.如权利要求8所述的玻璃蚀刻方法，其特征在于：所述蚀刻槽内的气压为负气压。
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