[发明专利]晶圆结构及其减薄方法

权利要求书

1.一种晶圆结构的减薄方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆具有有效区域和无效区域，所述无效区域位于第一晶圆的边缘；

提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；

在所述第二晶圆的第一表面形成连接结构，所述连接结构的位置与所述有效区域对应；

在所述第二晶圆的第一表面的边缘区域形成支撑结构，所述支撑结构的位置与所述无效区域对应；

利用连接结构和支撑结构将所述第一晶圆和第二晶圆键合；

沿所述第二表面对所述第二晶圆进行减薄。

2.如权利要求1所述的晶圆结构减薄的方法，其特征在于，所述支撑结构位于所述第二晶圆的边缘位置，适于为第二晶圆边缘提供支撑力。

3.如权利要求2所述的晶圆结构减薄的方法，其特征在于，所述支撑结构与所述连接结构厚度相同，厚度范围为10.1微米～60.7微米。

4.如权利要求2所述的晶圆结构减薄的方法，其特征在于，所述支撑结构的剖面宽度范围为2毫米～5毫米。

5.如权利要求2所述的晶圆结构减薄的方法，其特征在于，所述支撑结构为位于第二晶圆边缘的连续环形或者分段环形。

6.如权利要求2所述的晶圆结构减薄的方法，其特征在于，所述支撑结构为单层结构或者多层结构。

7.如权利要求2所述的晶圆结构减薄的方法，其特征在于，所述多层结构包括位于第二晶圆第一表面上的第一支撑层和覆盖所述第一支撑层的第二支撑层，所述第一支撑层为厚度10微米～60微米的硅层，所述第二支撑层为厚度0.1微米～0.7微米的锗层。

8.如权利要求1所述的晶圆结构减薄的方法，其特征在于，所述将第一晶圆和第二晶圆键合的工艺为非熔化型扩散键合、熔化型共熔键合或者静电键合。

9.如权利要求1所述的晶圆结构减薄的方法，其特征在于，所述第一晶圆内形成有晶体管电路。

10.一种晶圆结构，其特征在于，包括：

第一晶圆，所述第一晶圆具有有效区域和无效区域，所述无效区域位于第一晶圆的边缘；

位于所述有效区域上的连接结构；

位于所述无效区域上的支撑结构；

位于所述连接结构和支撑结构上的第二晶圆。

11.如权利要求10所述的晶圆结构，其特征在于，所述支撑结构位于所述第一晶圆的边缘位置，适于为第二晶圆边缘提供支撑力。

12.如权利要求11所述的晶圆结构，其特征在于，所述支撑结构与所述连接结构厚度相同，厚度范围为10.1微米～60.7微米。

13.如权利要求11所述的晶圆结构，其特征在于，所述支撑结构的剖面宽度范围为2毫米～5毫米。

14.如权利要求11所述的晶圆结构，其特征在于，所述支撑结构为位于第一晶圆边缘的连续环形或者分段环形。

15.如权利要求11所述的晶圆结构，其特征在于，所述支撑结构为单层结构或者多层结构。

16.如权利要求11所述的晶圆结构，其特征在于，所述多层结构包括位于第一晶圆表面上的第二支撑层和覆盖所述第二支撑层的第一支撑层，所述第一支撑层为厚度10微米～60微米的硅层，所述第二支撑层为厚度0.1微米～0.7微米的锗层。

17.如权利要求10所述的晶圆结构，其特征在于，所述第一晶圆内形成有晶体管电路。