[发明专利]焊盘、半导体器件和半导体器件的制造工艺有效
| 申请号： | 201410443164.1 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105374775B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 金晨;乔中辰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊盘 半导体器件 制造 工艺 | ||
1.一种半导体器件的制造工艺，其特征在于，包括对金属柱(10)进行工艺处理，以使所述金属柱(10)的第一端形成凹部(11)，所述对金属柱(10)进行工艺处理时，调节电镀药液比例，以使所述金属柱(10)的第一端形成所述凹部(11)，所述制造工艺还包括在所述对金属柱(10)进行工艺处理后的：
步骤S10：在所述金属柱(10)的所述凹部(11)处沉积阻挡层(40)；
步骤S20：在所述阻挡层(40)上沉积焊料凸块(20)，所述阻挡层(40)的金属性大于所述金属柱(10)和所述焊料凸块(20)的金属性，所述制造工艺还包括在所述步骤S20后的：
步骤S30：烘烤处理，以使所述金属柱(10)的外壁形成第一金属氧化层(12)、所述焊料凸块(20)的外壁形成第二金属氧化层(21)、所述阻挡层(40)的外壁形成第三金属氧化层(41)；
步骤S40：回流处理，以使所述第一金属氧化层(12)和所述第二金属氧化层(21)被还原。
2.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，在所述步骤S40中通过控制还原剂的通入量，以使所述第一金属氧化层(12)和所述第二金属氧化层(21)被还原。
3.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，在所述步骤S40中还包括对所述焊料凸块(20)进行抽气处理，且抽气方向沿竖直方向向上。
4.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述制造工艺还包括在所述对金属柱(10)进行工艺处理前的：
步骤S100：在设置有焊垫(30)的晶圆衬底(60)上沉积介质层(70)；
步骤S200：对所述介质层(70)进行刻蚀得到第一通孔(71)，所述焊垫(30)的一部分暴露在所述第一通孔(71)处；
步骤S300：在所述介质层(70)上沉积金属层(50)，所述金属层(50)通过所述第一通孔(71)与所述焊垫(30)电连接；
步骤S400：在所述金属层(50)上沉积光阻层(80)；
步骤S500：对所述光阻层(80)进行曝光显影形成第二通孔(81)；
步骤S600：在所述第二通孔(81)内沉积形成所述金属柱(10)。
5.根据权利要求4所述的制造工艺，其特征在于，所述制造工艺还包括在所述步骤S20后的：
步骤S21：去除所述光阻层(80)；
步骤S22：对所述金属层(50)进行刻蚀，以去除未被所述金属柱(10)覆盖的部分所述金属层(50)。
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