[发明专利]研磨垫及晶片清洗方法在审
| 申请号： | 201410428690.0 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104201141A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 丁弋;朱也方 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/306;B24B37/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 晶片 清洗 方法 | ||
1.一种研磨垫，其特征在于，其包括研磨垫本体以及设于该研磨垫本体上的清洗窗口，该清洗窗口内设有至少一个清洗喷嘴，用于对与该研磨垫对应的上方研磨头携带的晶片进行清洗，该清洗喷嘴与供水管路相连。
2.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于：该清洗窗口具有可开闭的顶盖。
3.根据权利要求2所述的研磨垫，其特征在于：该清洗喷嘴为多个，且喷射方向不同，以增加对晶片的清洗范围。
4.根据权利要求2所述的研磨垫，其特征在于：该清洗喷嘴顶端设有多个出水孔，使其喷射出散射状的清洗介质，以增加对晶片的清洗范围。
5.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于：该供水管路上还设有调压阀，以调节清洗喷嘴的喷射压力。
6.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于：该清洗喷嘴可伸缩地设于清洗窗口内。
7.根据权利要求2所述的研磨垫，其特征在于：该清洗窗口内还设有回收液管路。
8.一种利用权利要求1至7任一项所述研磨垫的晶片清洗方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤S01，提供一晶片，并对该晶片在第一研磨台上完成第一研磨工艺，该第一研磨台具有研磨垫和研磨头，该研磨垫包括研磨垫本体以及设于该研磨垫本体上的清洗窗口，该清洗窗口内设有至少一个清洗喷嘴，用于对与该研磨垫对应的上方研磨头携带的晶片进行清洗，该清洗喷嘴与供水管路相连；
步骤S02，利用该研磨垫上清洗窗口内的清洗喷嘴喷射出清洗介质对该晶片表面进行清洗，以去除附着于该晶片表面上的残留研磨液；
步骤S03，将清洗后的晶片转移至第二研磨台进行第二研磨工艺。
9.根据权利要求8所述的晶片清洗方法，其特征在于：步骤S02还包括清洗的同时旋转研磨头。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
