[发明专利]快恢复二极管制造工艺方法有效
| 申请号： | 201410424810.X | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104157569B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 严利人;张伟;刘道广;刘志弘 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京中伟智信专利商标代理事务所11325 | 代理人： | 张岱 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 制造 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种快恢复二极管的制造工艺方法，其特征在于：所述方法包括：
提供一第一类导电类型的衬底晶圆片；
在所述衬底晶圆片的第二位置处离子注入掺杂第二类导电类型杂质；
向所述衬底晶圆片表面进行金属溅射，形成5至10nm的金属层；
利用绿光或绿光+红光/红外光激光器进行激光退火处理，
激光的能量密度大于一定阈值，阈值范围为0.02J-4J/cm2；
当激光能量小于0.02J/cm2时，单光源532nm脉冲绿光激光器作用深度为0，随着激光能量从0.02J/cm2增加至4J/cm2，脉宽从100ns增加至1500ns，以及扫描作用的扫速从10mm/s降低至0.1mm/s，作用深度逐渐变深至2um；
当要求超过2um的作用深度时，采用绿光激光器加红光/红外光激光器，其中红外光波长为800-1000nm，进行双激光束的协同处理退火；
使所述离子注入掺杂的第二类导电类型杂质得到激活，在第一导电类型区和第二导电类型区之间形成PN结，并使得金属向晶圆片体内扩散到达特定深度处。
2.根据权利要求1所述的快恢复二极管的制造工艺方法，其特征在于：所述金属为金或铂，所述金属到达的特定深度通过激光的波长和功率决定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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