[发明专利]一种电磁谐波发送目标板及电磁谐波细胞修复治疗设备有效
| 申请号: | 201410403613.X | 申请日: | 2014-08-15 |
| 公开(公告)号: | CN104127957B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
| 发明(设计)人: | 赵静智;颜川循 | 申请(专利权)人: | 深圳希能量科技有限公司 |
| 主分类号: | A61N5/00 | 分类号: | A61N5/00 |
| 代理公司: | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司44260 | 代理人: | 王翀 |
| 地址: | 518053 广东省深圳市南山区白*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电磁 谐波 发送 目标 细胞 修复 治疗 设备 | ||
技术领域
本发明涉及医疗保健领域,特别是一种电磁谐波发送目标板及基于所述电磁谐波发送目标板的电磁谐波细胞修复治疗设备。
背景技术
经过科学证明,电磁波具有提高机体内各种酶的活性,促进机体对各种缺乏元素的吸收,修复和疏通微循环通道;激发机体自身的免疫功能和抗病能力;促进机体脑啡吩呔的分泌,达到持续镇痛的目的等方面的作用。
1、电磁波治疗仪能有效地推进微循环体系的加快修改,改进患部血液循环血液的流变;
2、电磁波治疗仪能增强机体的抗病能力;
3、电磁波治疗仪能添加患者体内脑啡呔的排泄,有耐久镇痛的效果;
4、电磁波治疗仪能促进机体对缺少元素的吸收。
但是目前以电磁波治疗疾病以不定向照射为主,治疗效能不高,对于特定的疾病,例如女性子宫卵巢等疾病,治疗效果有待提高。
现有技术中类似的电磁波照射治疗设备还存在治疗效果返复的问题,治疗后效果不能巩固,或维持时间少于一个月,停止照射后又复发了。
发明内容
本发明提供一种电磁谐波发送目标板及基于所述电磁谐波发送目标板的电磁谐波细胞修复治疗设备,对内脏类疾病可以定向治疗,特别是女性的子宫卵巢疾病,治疗直接、效能高;且本设备可以使患者经治疗后返复期超出一年以上或再不复发。
本发明通过以下技术手段实现:
一种电磁谐波发送目标板,包含若干电磁谐波发送单元,所述的电磁发送单元包含至少一个纳米芯片,所述的纳米芯片封装在金属封装壳内,所述的金属封装壳抵接一半导体反射杯的底部,所述的半导体反射杯包含一杯底和喇叭状的杯身,喇叭口从杯底向上逐渐变大,所述的半导体反射杯在电磁场的作用下发生机械振动并带动纳米芯片的金属外壳产生共振,金属外壳在电磁场中振动产生的电流使纳米芯片启动工作,纳米芯片接受外部输入的脉冲信号,发出特定的电磁谐波,所述的电磁谐波经半导体反射杯向目标体发送,所述的半导体反射杯振动调整电磁谐波的发送角度。
进一步的,所述的被封装的纳米芯片设置在由两个金属电极形成的支架上,所述的金属电极分别为阳极和阴极;所述的半导体反射杯也被嵌装在所述的支架的顶部,并使半导体反射杯的喇叭口向外。
进一步的,所述的被封装的纳米芯片、金属电极用于固定纳米芯片和半导体反射杯的顶部、半导体反射杯被环氧树脂或玻璃封装。
进一步的,所述的电磁谐波发送单元按照矩形阵列方式布设在一块PCB板上,所述的PCB板设有信号输入单元。
进一步的,所述的纳米芯片封装在金属电极的阴极管内,所述半导体反射杯嵌在阴极管的顶端。
进一步的,所述半导体反射杯使电磁谐波发送的角度在5-120度之间变化,所述发送的电磁谐波的波长在0.1um-80um之间。
最后,所述的每个电磁谐波发送单元内包含2-21个纳米芯片。
一种基于上述目标板的电磁谐波细胞养护设备,包含两个所述的目标板,一个控制机,所述的目标板接受控制机发出的控制信号并向外发出对应的电磁谐波;所述的控制机内包含一个脉冲变压器,一个主控板,以及一个以上脉冲信号输出单元,所述的脉冲变压器与脉冲信号输出端口与主控板电连接。
进一步的,所述的主控板根据外部输入的控制信号调整输出的脉冲信号,所述的控制机主控板输出的脉冲信号经过信号输出单元及信号线传输到目标板上的纳米芯片。
最后,所述的纳米芯片被感应供电启动后触发npn或pnp半导体,在纳米芯片到振动环杯底部使半导体的两极接近于短路所述的脉冲变压器的输出信号经过场效应管、水泥电阻到达所述主控板的信号输出单元,信号输入目标板以及处于正负目标板之间的导电介质,在正负目标板,水泥电阻,场效应管,脉冲变压器之间形成回路,目标板内的半导体反射杯产生机械微振动并改变电磁场方向,发出电磁谐波。
以上实现的电磁谐波发送目标板及基于所述电磁谐波发送目标板的电磁谐波细胞养护设备可以根据病人病情自动调整电磁谐波量,且针对病症定向照射,效果好,对其他不需要照射的区域无影响。
附图说明
图1为纳米芯片安装支架示意图;
图2为纳米芯片安装支架剖视图;
图3是纳米芯片安装位置示意图;
图4是纳米芯片对发送电磁谐波方向调节的示意图;
图5是改变电磁谐波电子粒方向示意图;
图6为纳米芯片改变电场、磁场方向示意图;
图7为目标板正向示意图;
图8为目标板侧向示意图;
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