[发明专利]高精度晶圆背刻对中系统沟槽对位方法无效

专利信息
申请号: 201410401245.5 申请日: 2014-08-14
公开(公告)号: CN104191094A 公开(公告)日: 2014-12-10
发明(设计)人: 卢冬青 申请(专利权)人: 上海功源自动化技术有限公司
主分类号: B23K26/70 分类号: B23K26/70;H01L21/68
代理公司: 代理人:
地址: 200233 上海市徐汇*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 高精度 晶圆背刻 系统 沟槽 对位 方法
【说明书】:

技术领域

基于激光标刻的精准技术和CCD工业相机的高分辨率图像处理技术, 利用晶圆的多次成像的对位眼为基准,检测晶圆的器件沟槽的位置,为激光背刻图案提供高精度的定位。 

背景技术

激光作为一种新工业加工技术,在计算机控制下可以在各种材料表面标刻图案和文字,本专利组合工业相机的捕捉晶圆产品的图案, 利用晶圆的多次成像的对位眼为基准,检测晶圆的器件沟槽的位置,为激光背刻图案提供高精度的定位。 

在一个晶圆上,通常有几百个乃至数千个芯片连在一起。它们之间留有80um至150um的间隙,此间隙被称之为划片街区。将每一个具有独立电气性能的芯片分离出来的过程叫做划片或切割。 

随着技术的进步、芯片的微型化以及晶圆利用率的提高,芯片的厚度不断增加而划片街区在不断的缩小。传统的晶圆正面划片(切割)方法,无论是机械划片(锯片切割)还是激光划片(切割),都很容易伤及芯片。 机械划片(锯片切割)过程中,划片街区的宽度受锯片的宽度影响,只能限制于某些固定宽的划片街区以上,否则会伤及芯片。 激光划片(切割)时产生的飞溅会容易溅射到芯片上,导致芯片的电性失效。 

现行的晶圆背面划片(切割)可以有效的解决上述问题,为此,正确应用该技术的前提是能定位切割的位置必须对准正面的切割槽(街区中心)。由于芯片的晶格处在晶圆的正面,划片(切割)位置的精确定位就成为了难题。 

1, 晶圆为完成IC器件的多层电路图案的叠加,以达到器件的设计要求,会利用晶圆的对位图案(简称对位眼), 完成每次图案曝光的高精度对位,以保证图案的正确叠加的工艺。 

2,成品晶圆的器件完成后, 会在器件四周留下分离的切割沟槽。 该沟槽与对位眼有必然关系, 而与器件的外观图案的关联性是第二次图像的偏位值。 

3, 对位眼在整个晶圆中只有两处, 而非覆盖晶圆的五处标刻位。 要点:五个“十字”线必须在同一沟槽内, 否则晶圆切割后均为报废的器件。 利用对位眼补偿第二次图像的偏位值。 

参考附图1:高精度晶圆背刻系统沟槽对位方法及装置的五个“十字”线位置示意图。 

 4, 为改善切割工艺, 新的工艺要求在晶圆的背面, 标刻五处切割导向“十字”线, 高精度对应正面的器件沟槽。 

5, 激光刻划标志可以控制在线宽十几个微米之内, 其重复性达到几个微米, 并可在电脑控制下, 接受外部软件指令, 调整标刻图案的位置和角度。 

6, CCD工业相机可以捕捉微米级分辨率的图像, 并计算出图像间的微米级的位置偏差, 为高精度的应用奠定了理论和硬件基础。 

7, CCD相机观测晶圆的正面图像, 将位置偏差值通过电脑计算并通知激光电脑, 调整激光图案位置, 在晶圆背面完成同沟槽的图案刻划。 

发明内容

本发明的目的就是充分利用计算机控制下的, 工业相机和激光器, 对高精度要求的晶圆背刻系统的沟槽对位的方法。 

参考附图2:高精度晶圆背刻对中系统沟槽对位方法的原理示意图。 

本发明的目的可以通过以下技术方案来实现: 

1, 利用CCD工业相机对位正面对位眼和器件, 计算出沟槽位置, 将偏差值送激光校正“十字”线图案位置, 高精度地标刻在晶圆的背面, 保证“十字”线与沟槽位置对齐。 

2, 基础对位计算:对位相机取左对位眼的图像, 对位相机电脑计算出晶圆的基础偏位, 而后到右眼位取右对位眼图像,确认晶圆的基础偏位。 

3, 将晶圆的基础偏位; 

3-1, 补偿给五位对中台, 以防止沟槽错位; 

3-2, 同时补偿给激光,背刻左右对眼位的“十字”线;

3-3, 计算出器件图像与对位眼图像的偏差, 为非对位眼的器件图像作出器件偏位补偿。 

4, 利用晶圆的基础偏位, 找到正确标刻同一沟槽器件。 而后利用器件图像和对位眼的补偿第二次图像偏位值, 叠加补偿后给激光标刻背面“十字”线。 

5, 其特征在于, 该装置包括CCD相机, 工业激光, 晶圆对位眼, 器件图像等组成的背刻沟槽技术的依次连接。 

6, 根据权利要求1和权利要求2 所述的高精度晶圆背刻对中系统沟槽对位方法,其特征在于, 所述的CCD相机为一个, 与激光分晶圆的两边安装。 

  

附图说明

图1:高精度晶圆背刻系统沟槽对位方法的原理示意图。 

1,晶圆 – 背刻的产品, 有多次曝光和蚀刻工艺配合完成IC器件的生产; 

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