[发明专利]电子元件封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种电子元件封装体的制造方法，其特征在于，包含：

提供具有一上表面及一下表面的一半导体基板；

蚀刻该半导体基板的该上表面，以形成至少一凹部；

于该上表面上方及该凹部的侧壁形成一第一绝缘层；

形成充满该凹部的一导电部、以及于该第一绝缘层上对应连接该导电部的一导电连接垫；

由该半导体基板的该上表面对组一电子元件，其中该电子元件具有电性连接该导电连接垫的至少一第一连接垫；

由该下表面朝该上表面薄化该半导体基板，使该凹部内的该导电部由该下表面暴露出来；

于该下表面下方形成一第二绝缘层，该第二绝缘层具有至少一开口，以暴露出该导电部；以及

于该第二绝缘层下形成至少一重布局金属线路，部分的该重布局金属线路位于该开口内，以电性连接该导电部。

2.根据权利要求1所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，在对组该电子元件的步骤前，进一步包含：

于该第一绝缘层以及该导电连接垫上形成一内连线层，其中该内连线层包含至少一内连线以及至少一第二连接垫，该第二连接垫与该第一连接垫连接，且该内连线连接该第二连接垫以及该导电连接垫。

3.根据权利要求1所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，进一步包含：

于该第二绝缘层以及该重布局金属线路下形成一阻焊层，该阻焊层具有至少一开口，以暴露出该重布局金属线路；以及

于该开口内形成至少一焊球，以电性连接该重布局金属线路。

4.根据权利要求3所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，在形成该阻焊层的步骤之前，进一步包含：

形成覆盖该重布局金属线路的一焊点底层金属。

5.根据权利要求4所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，形成该焊点底层金属的方式包含溅镀、蒸镀以及电镀。

6.根据权利要求4所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，该焊点底层金属包含：

一镍金属层，覆盖该重布局金属线路；以及

一金金属层，覆盖该镍金属层。

7.根据权利要求4所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，该焊点底层金属包含：

一镍金属层，覆盖该重布局金属线路；

一钯金属层，覆盖该镍金属层；以及

一金金属层，覆盖该钯金属层。

8.根据权利要求1所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，进一步包含：

于该电子元件上形成至少一支撑件；以及

配置一保护盖，其中，该保护盖通过该支撑件设置于该电子元件上方。

9.根据权利要求1所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，进一步包含：

于该电子元件上贴附一胶带。

10.根据权利要求1所述的电子元件封装体的制造方法，其特征在于，形成该第一绝缘层及该第二绝缘层的方式是化学气相沉积法或旋转涂布法，该该第一绝缘层及该第二绝缘层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或前述的组合。

11.一种电子元件封装体，其特征在于，包含：

一半导体基板，具有一上表面及一下表面；

至少一穿孔，贯穿该上表面及该下表面；

一第一绝缘层，配置于该上表面上方及该穿孔的侧壁；

一导电部，配置于该穿孔内；

一导电连接垫，配置于该第一绝缘层上，且与该导电部具有一连接面；

一电子元件，配置于该上表面，其中该电子元件具有电性连接该导电连接垫的至少一第一连接垫；

一第二绝缘层，配置于该下表面下方，该第二绝缘层具有至少一开口，以暴露出该导电部；以及

至少一重布局金属线路，配置于该第二绝缘层下，且部分的该重布局金属线路位于该开口内，以电性连接该导电部，

其中，该连接面切齐该穿孔的顶部。

12.根据权利要求11所述的电子元件封装体，其特征在于，进一步包含：

一内连线层，配置于该第一绝缘层以及该导电连接垫上，其中该内连线层包含至少一内连线以及至少一第二连接垫，该第二连接垫与该第一连接垫连接，且该内连线连接第二连接垫以及该导电连接垫。