[发明专利]利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺

权利要求书

1.一种利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺，其特征是，所述太阳能电池背面抛光工艺包括如下步骤：

（a）、提供所需的晶硅电池片，所述晶硅电池片的正面具有阻挡保护层；

（b）、将上述晶硅电池片的背面放置浸泡在四甲基氢氧化铵溶液中，以对晶硅电池片的背面进行所需的去结抛光，并通过阻挡保护层对晶硅电池片的正面进行保护；四甲基氢氧化铵溶液的浓度为2%~5%，温度为68℃~72℃，晶硅电池片浸泡在四甲基氢氧化铵溶液的时间为180s~250s；

（c）、利用等离子水对晶硅电池片进行清洗。

2.根据权利要求1所述的利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺，其特征是，还包括步骤（d）、将清洗后的晶硅电池片放置浸泡在HF溶液中，以将晶硅电池片正面的阻挡保护层进行去除，HF溶液的浓度为2%~5%，晶硅电池片的浸泡时间为150s~250s；

（e）、利用等离子水对晶硅电池片进行清洗。

3.根据权利要求1或2所述的利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺，其特征是，所述阻挡保护层为二氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺，其特征是，所述步骤（a）中，包括如下步骤：

（a1）、晶硅电池片的正面具有阻挡保护层，晶硅电池片的背面具有二氧化硅层；

（a2）、利用HF溶液去除晶硅电池片背面的二氧化硅层，HF溶液的浓度为10%~20%，晶硅电池片的背面浸泡在HF溶液中的时间为10~30s。

5.根据权利要求1所述的利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺，其特征是，所述步骤（c）中，利用等离子水对晶硅电池清洗300s。

6.根据权利要求2所述的利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺，其特征是，所述步骤（e）中，利用等离子水对晶硅电池片清洗300s。

7.根据权利要求4所述的利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺，其特征是，利用HF溶液去除晶硅电池片背面的二氧化硅层后，利用等离子水对晶硅电池片进行清洗，并将清洗后的晶硅电池片进行吹干。