[发明专利]横向对称DMOS管及其制造方法

权利要求书

1.横向对称DMOS管，其特征在于，包括具备第一掺杂类型的外延层（1）及位于外延层上具备第二掺杂类型的两个有源区（2），有源区上方设置有与有源区欧姆接触的有源区金属电极（5）；两个有源区之间为具有第二掺杂类型的漂移区，漂移区中部为具有第一掺杂类型的沟道区（4），所述漂移区和沟道区上方均为绝缘层（8）覆盖，绝缘层（8）上分布有栅极（7）和副栅（6），分别位于沟道区和漂移区上方，所述副栅上具有引线连接孔。 

2.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述两个有源区上的副栅（6）与栅极（7）平行布置，副栅（6）位于栅极（7）两侧，两根副栅的端头以金属连线（9）对应连接。

3.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述有源区（2）上方靠近漂移区一侧设置有金属硅化物层（10）。

4.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述栅极和副栅为类型和厚度相同的多晶硅。

5.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述副栅为与有源区金属电极相同的金属电极。

6.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，还包括紧邻所述有源区（2）远离漂移区的具备第一掺杂类型的衬底电位区（3）。

7.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型分别为P型和N型。

8.如权利要求1所述的横向对称DMOS管，其特征在于，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型分别为N型和P型。

9.横向对称DMOS管制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

对硅片衬底掺杂第一掺杂类型形成外延层；

在外延层上注入第二掺杂类型形成沟道区；

在外延层上注入第一掺杂类型形成有源区；

在沟道区上方淀积形成绝缘层；

在绝缘层上方淀积形成整体栅极，所述整体栅极，采用干法刻蚀去除整体栅极中多余的部分，形成分离的栅极和副栅。

10.如权利要求9所述的横向对称DMOS管制造方法，其特征在于，在沟道区上方淀积形成绝缘层后，在绝缘层上方淀积形成整体栅极，所述整体栅极材料为多晶硅，同时在有源区（2）上方靠近漂移区一侧淀积多晶硅；

对准有源区（2）上方靠近漂移区一侧淀积的多晶硅进行金属离子注入，形成硅化物金属层。