[发明专利]半导体装置和用于制造该半导体装置的方法

权利要求书

1.半导体装置（10），具有：

具有第一表面（14）的半导体本体（12），

第一沟槽（28）中的IGFET（22）的具有多晶硅（32）的栅电极结构（20），所述第一沟槽从所述第一表面（14）延伸到所述半导体本体（12）中，以及

第二沟槽（30）中的与IGFET（22）的栅电极结构（20）不同并且具有多晶硅（32）的半导体元件（26），所述第二沟槽从所述第一表面（14）延伸到所述半导体本体（12）中，

其中IGFET（22）和与所述IGFET（22）不同的半导体元件（26）的多晶硅（32）终结于与所述半导体本体（12）的第一表面（14）邻接的绝缘层（36）的上侧（34）之下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置（10），其中所述第一沟槽（28）通过有效单元区域的边缘（22a）延伸到IGFET（22）的边缘终止结构中。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置（10），其中半导体装置（10）的任何多晶硅（32）终结于与所述半导体本体（12）的第一表面（14）邻接的绝缘层（36）的上侧（34）之下。

4.根据权利要求1到3之一所述的半导体装置（10），其中所述IGFET（22）和与所述IGFET（22）不同的半导体元件（26）的多晶硅（32）最大直至达到所述半导体本体（12）的第一表面（14）。

5.根据上述权利要求之一所述的半导体装置（10），其中所述半导体元件（26）包括二极管、电阻、电容器、传感器结构、Zap结构或IGFET（22）的边缘终止结构。

6.根据上述权利要求之一所述的半导体装置（10），其中所述栅电极结构（20）包括栅电极（62）以及栅电极接触区域（64），所述栅电极接触区域在与所述半导体本体（12）的第一表面（14）邻接的绝缘层（36）的上侧（34）之下与导电层（52）接触。

7.根据上述权利要求之一所述的半导体装置（10），其中所述第一沟槽（28）中的IGFET（22）的栅电极结构（20）的多晶硅（32）具有平坦的上侧（44）。

8.根据上述权利要求之一所述的半导体装置（10），其中所述第一沟槽（28）中的和所述第二沟槽（30）中的多晶硅（32）分别具有平坦的上侧（44、46），所述上侧的水平的延伸相互最大偏移100nm。

9.根据权利要求8所述的半导体装置（10），其中所述平坦的上侧（44、46）位于共同的平面中。

10.根据上述权利要求之一所述的半导体装置（10），其中所述第一沟槽（28）和所述第二沟槽（30）具有相互最大偏差250nm的深度。

11.根据权利要求10所述的半导体装置（10），其中所述第一沟槽（28）和所述第二沟槽（30）具有不同的宽度。

12.根据上述权利要求之一所述的半导体装置（10），此外具有电介质（40），所述电介质覆盖所述第一沟槽（28）和所述第二沟槽（30）的壁（42），以便将所述第一沟槽（28）和所述第二沟槽（30）中的多晶硅（32）与所述半导体本体（12）电绝缘。

13.用于制造半导体装置（10）中的IGFET（22）的栅电极结构（20）和与所述IGFET（22）的栅电极结构（20）不同的半导体元件（26）的方法，具有以下步骤：

在半导体本体（12）中构造用于所述IGFET（22）的栅电极结构（20）的第一沟槽（28）和用于所述半导体元件（26）的第二沟槽（30），

将多晶硅（32）涂布在所述半导体本体（12）的表面上，直至所述第一沟槽（28）和所述第二沟槽（30）被填充，

执行化学-机械抛光步骤，以便去除所述第一沟槽（28）和所述第二沟槽（30）之上存在的多晶硅，使得所述第一沟槽（28）中的栅电极结构（20）的多晶硅（32）与所述第二沟槽（30）中的半导体元件（26）的多晶硅（32）相互分离。

14.根据权利要求13所述的方法，其中用于所述IGFET（22）的栅电极结构（20）的所述第一沟槽（28）被制造为，使得所述第一沟槽通过有效单元区域的边缘（22a）延伸到IGFET（22）的边缘终止结构中。