[发明专利]一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片及其制备方法

权利要求书

1.一种籽晶的铺设方法，用于铸造准单晶硅片，其特征在于，包括以下步骤：

提供坩埚，在所述坩埚底部铺设目标籽晶，相邻两个目标籽晶之间留有缝隙，在所述缝隙中填充一个异向籽晶，所述目标籽晶和所述异向籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部得到籽晶层；所述异向籽晶包括分别与相邻两个目标籽晶侧面接触的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面分别与相邻目标籽晶接触的侧面构成的晶界类型一致，所述异向籽晶的生长面相对于所述目标籽晶的生长面为高指数晶面。

2.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述异向籽晶的生长面晶向为(111)、(112)、(221)、(210)或(310)，所述目标籽晶的生长面晶向为(100)。

3.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述缝隙的宽度为5～10mm。

4.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述目标籽晶侧面的晶向均相同。

5.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述异向籽晶的第一侧面和第二侧面的晶向相同，所述异向籽晶的第一侧面和第二侧面的晶向与相邻目标籽晶接触的侧面晶向不一致。

6.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述籽晶层的厚度为2cm～4cm。

7.一种准单晶硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供坩埚，在所述坩埚底部铺设目标籽晶，相邻两个目标籽晶之间留有缝隙，在所述缝隙中填充一个异向籽晶，所述目标籽晶和所述异向籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部得到籽晶层；所述异向籽晶包括分别与相邻两个目标籽晶侧面接触的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面分别与相邻目标籽晶接触的侧面构成的晶界类型一致，所述异向籽晶的生长面相对于所述目标籽晶的生长面为高指数晶面；

(2)在所述籽晶层上填装硅料和掺杂剂，加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，调节热场形成过冷状态，使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到准单晶硅锭；

(3)将所述准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到所述准单晶硅片。

8.如权利要求7所述的准单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述异向籽晶的生长面晶向为111)、(112)、(221)、(210)或(310)，所述目标籽晶的生长面晶向为(100)。

9.如权利要求7所述的准单晶硅片的制备方法，其特征在于，所述掺杂剂为硼、磷或镓。

10.一种准单晶硅片，其特征在于，所述准单晶硅片为按照权利要求7～9任一项所述的制备方法制得。