[发明专利]像素密度可调的图像传感器及其像素密度调整方法有效

专利信息
申请号: 201410382828.8 申请日: 2014-08-06
公开(公告)号: CN104157660B 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 杜琳 申请(专利权)人: 北京智谷睿拓技术服务有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/369
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413 代理人: 马敬,项京
地址: 100085 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 密度 可调 图像传感器 及其 调整 方法
【说明书】:

技术领域

本申请涉及图像采集技术领域,特别是涉及一种像素密度可调的图像传感器及其像素密度调整方法。

背景技术

随着图像采集技术的不断发展,支持图像采集的设备不断推陈出新,人们对采集图像的质量要求也越来越高。

为了获得更为清晰的图像,通常可以采用像素密度更高的图像传感器采集图像以此来提高采集图像的整体清晰度,但该方案采集到的图像的大小也会相应增大,由此相应增加了图像的存储和/或传输带宽的资源负担。

发明内容

在下文中给出了关于本申请的简要概述,以便提供关于本申请的某些方面的基本理解。应当理解,这个概述并不是关于本申请的穷举性概述。它并不是意图确定本申请的关键或重要部分,也不是意图限定本申请的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念,以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本申请提供一种像素密度可调的图像传感器及其像素密度调整方法。

一方面,本申请实施例提供了一种像素密度可调的图像传感器,包括:

阵列分布的多个图像传感器像素;

一可控变形材料部,分别与多个所述图像传感器像素连接;所述可控变形材料部在外场作用下可发生形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素的密度分布。

另一方面,本申请实施例还提供了一种图像传感器像素密度调整方法,包括:

将外场作用于可控变形材料部,所述可控变形材料部与阵列分布的多个图像传感器像素连接;

通过调节所述外场的分布来控制所述可控变形材料部发生相应的形变,并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素的密度分布。

本申请实施例提供的技术方案,通过调节作用于可控变形材料部的外场的分布来控制所述可控变形材料部发生相应的形变,并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素的密度分布,由此可实现图像传感器的像素密度可调,基于像素密度可调的图像传感器进行图像采集,可充分利用图像传感器的整体像素来差异化呈现采集图像不同区域的清晰度,由此更好满足用户多样化的应用需求。

通过以下结合附图对本申请的可选实施例的详细说明,本申请的这些以及其它的优点将更加明显。

附图说明

本申请可以通过参考下文中结合附图所给出的描述而得到更好的理解,其中在所有附图中使用了相同或相似的附图标记来表示相同或者相似的部件。所述附图连同下面的详细说明一起包含在本说明书中并且形成本说明书的一部分,而且用来进一步举例说明本申请的可选实施例和解释本申请的原理和优点。在附图中:

图1为本申请实施例提供第一种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;

图2为本申请实施例提供第二种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;

图3为本申请实施例提供第三种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;

图4为本申请实施例提供第四种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;

图5为本申请实施例提供图像传感器在不均匀光场激励情形时进行像素密度调整的场景示例;

图6为本申请实施例提供第五种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;

图7为本申请实施例提供第六种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;

图8为本申请实施例提供第七种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;

图9为本申请实施例提供第八种像素密度可调的图像传感器的结构示意图;

图10为本申请实施例提供图像传感器像素密度调整方法流程图。

本领域技术人员应当理解,附图中的元件仅仅是为了简单和清楚起见而示出的,而且不一定是按比例绘制的。例如,附图中某些元件的尺寸可能相对于其他元件放大了,以便有助于提高对本申请实施例的理解。

具体实施方式

在下文中将结合附图对本申请的示范性实施例进行详细描述。为了清楚和简明起见,在说明书中并未描述实际实施方式的所有特征。然而,应该了解,在开发任何这种实际实施例的过程中必须做出很多特定于实施方式的决定,以便实现开发人员的具体目标,例如,符合与系统及业务相关的那些限制条件,并且这些限制条件可能会随着实施方式的不同而有所改变。此外,还应该了解,虽然开发工作有可能是非常复杂和费时的,但对得益于本公开内容的本领域技术人员来说,这种开发工作仅仅是例行的任务。

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