[发明专利]用于制造封装器件的工艺和由此得到的封装器件有效
| 申请号: | 201410370739.1 | 申请日: | 2014-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN104340949B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
| 发明(设计)人: | F·G·齐格里欧里 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
| 地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 封装 器件 工艺 由此 得到 | ||
1.一种用于制造封装器件的工艺,所述工艺包括:
将第一裸片键合到支撑物,所述第一裸片具有感测区域;
在所述支撑物上且围绕所述第一裸片模制可模制材料的封装块;
提供邻接所述封装块的阻挡层;
形成密封区域和在所述密封区域中嵌入的电连接导线,所述密封区域通过所述阻挡层与所述封装块分离,以及
在所述封装块的表面与所述感测区域之间形成腔室,所述腔室中的所述阻挡层的表面面对所述感测区域的一部分,所述腔室与所述封装器件外的环境流体连通,所述封装块的内表面在所述腔室中暴露。
2.根据权利要求1所述的工艺,其中形成所述腔室包括:
在所述感测区域上滴涂被配置成蒸发/升华的材料的牺牲块;
在所述牺牲块上模制所述封装块,所述封装块具有外表面;
在所述封装块中形成从所述外表面延伸直至所述牺牲块的孔;以及
通过所述孔蒸发/升华所述牺牲块。
3.根据权利要求2所述的工艺,其中,在滴涂所述牺牲块之后且在模制所述封装块之前,在所述牺牲块上形成所述阻挡层。
4.根据权利要求3所述的工艺,其中所述阻挡层是导电材料,并且形成所述阻挡层包括在所述牺牲块上喷涂或喷射所述导电材料。
5.根据权利要求2所述的工艺,其中所述牺牲块是可滴涂聚合物。
6.根据权利要求5所述的工艺,其中所述可滴涂聚合物包括萘、环十二烷、蒽、芘、二萘嵌苯和乙酸锌中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的工艺,进一步包括:
将电连接导线的第一端电耦合到所述第一裸片的焊盘,并且将所述电连接导线的第二端电耦合到所述支撑物和键合到所述支撑物的第二裸片中的至少一个;以及
在模制所述封装块之前在所述电连接导线上涂覆密封区域。
8.一种封装器件,包括:
支撑物;
第一裸片,耦合到所述支撑物,所述第一裸片具有感测区域;
可模制材料的封装块,耦合到所述支撑物并围绕所述裸片,所述封装块嵌入了所述第一裸片的一部分;
阻挡层,邻接所述封装块;
密封区域,通过所述阻挡层与所述封装块分离,在所述密封区域中嵌入了电连接导线;以及
位于所述封装块与所述感测区域之间的腔室,所述腔室中的所述阻挡层的表面面对所述感测区域的一部分,所述腔室与所述封装器件外的环境流体连通,所述封装块的内表面在所述腔室中暴露。
9.根据权利要求8所述的封装器件,其中所述腔室通过延伸通过所述封装块的孔与所述封装器件外的环境流体连通。
10.根据权利要求8所述的封装器件,其中所述第一裸片包括具有主面和侧表面的半导体材料的主体,所述感测区域面对所述主体的主面,所述腔室面对所述主面,并且所述密封区域包围所述第一裸片的侧表面。
11.根据权利要求8所述的封装器件,其中所述第一裸片包括具有主面和侧表面的半导体材料的主体,所述感测区域面对所述主体的主面,并且所述腔室覆盖所述感测区域。
12.根据权利要求11所述的封装器件,包括容纳在所述腔室内的第二裸片。
13.根据权利要求12所述的封装器件,其中所述第二裸片位于所述支撑物和所述第一裸片之间。
14.根据权利要求8所述的封装器件,进一步包括第二裸片和电连接导线,所述电连接导线具有耦合到所述第一裸片的第一端以及耦合到所述支撑物和所述第二裸片中的一个的第二端,所述电连接导线嵌入在密封区域中。
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