[发明专利]光电调变堆叠

权利要求书

1.一种光电调变堆叠，包括：

基板；

多个触控感测单元，共平面地设置于所述基板上，相邻的所述触控感测单元之间形成第一间隙区；

至少第一抗扰斑块，设置于所述第一间隙区内，所述第一抗扰斑块的宽度远小于所述基板或所述触控感测单元的宽度；以及

纳米结构层，设置于所述第一抗扰斑块下，并具有多个纳米结构；

当光线通过所述纳米结构及所述第一抗扰斑块时，所述光线的光学特性改变。

2.如权利要求1所述的光电调变堆叠，其中所述第一抗扰斑块呈弯折样式。

3.如权利要求1所述的光电调变堆叠，其中所述纳米结构至少包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)、掺锌氧化铟(IZO)、AZO(掺铝的ZNO)、GZO(掺镓的ZNO)、碳纳米管(CNT)、或石墨烯。

4.如权利要求1所述的光电调变堆叠，其中通过所述第一抗扰斑块设置于相邻触控感测单元所形成的所述第一间隙区之间，使相邻触控感测单元的间距加大、不会受到后续工艺的粒子污染而形成短路，从而提供电性抗扰的效用。

5.如权利要求4所述的光电调变堆叠，其中所述后续工艺至少包括机械薄化工艺、化学薄化工艺、机械化学薄化工艺、黄光工艺、薄膜沉积工艺、和/或薄膜蚀刻工艺。

6.如权利要求1所述的光电调变堆叠，更包含绝缘层，其具有抗眩性质。

7.如权利要求1所述的光电调变堆叠，其中所述基板为软性基板或刚性基板。

8.如权利要求1所述的光电调变堆叠，其中所述纳米结构包含纳米铜或纳米银。

9.如权利要求1所述的光电调变堆叠，其中所述纳米结构层更包括基质，所述纳米结构设置于所述基质内。

10.如权利要求9所述的光电调变堆叠，其中所述基质与所述纳米结构的折射率不同。