[发明专利]制备三氯氢硅的装置

权利要求书

1.一种制备三氯氢硅的装置，其特征在于，包括：

精馏塔本体，所述精馏塔本体内自上而下依次限定出精馏区、反应区和蒸馏区；

四氯化硅入口，所述四氯化硅入口设置在所述精馏区和所述反应区之间；

二氯二氢硅入口，所述二氯二氢硅入口设置在所述反应区和所述蒸馏区之间；

重组分出口，所述重组分出口设置在所述蒸馏区的底部；

轻组分出口，所述轻组分出口设置在所述精馏区的顶部；

再沸器，所述再沸器具有液体入口和气体出口，并且所述液体入口与所述重组分出口相连，所述气体出口与所述蒸馏区相连；以及

冷凝器，所述冷凝器具有气态轻组分入口、回流液出口和三氯氢硅出口，所述气态轻组分入口与所述轻组分出口相连，所述回流液出口与所述精馏区相连。

2.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的装置，其特征在于，所述精馏区和所述蒸馏区内件分别独立地为筛板。

3.根据权利要求2所述的制备三氯氢硅的装置，其特征在于，所述精馏区的理论塔板数为15～18。

4.根据权利要求2所述的制备三氯氢硅的装置，其特征在于，所述蒸馏区的理论塔板数为5～8。

5.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的装置，其特征在于，所述反应区包括催化剂层。

6.根据权利要求5所述的制备三氯氢硅的装置，其特征在于，所述催化剂层高于2米。