[发明专利]一种电控光阀被动式发光器件及其制备工艺

权利要求书

1.一种电控光阀被动式发光器件的制备工艺，其特征在于，通过如下步骤制备而成：

(1)预先将碳纳米管或者石墨烯混合于固体电解质中形成基料，将基料沉积于玻璃衬底上形成碳纳米管薄膜或者石墨烯薄膜并进行图形化，形成电控光阀层；

(2)在电控光阀层上沉积绝缘膜层，并对所述绝缘膜层进行图形化使部分电控光阀层露出；

(3)在所述绝缘膜层上沉积TFT管，所述TFT管的源漏电极与步骤(2)中露出的电控光阀层连接；

(4)在所述TFT管上沉积透明绝缘填充层，使透明绝缘填充层覆盖于所述TFT管及TFT管未覆盖的绝缘膜层上方；

(5)在所述透明绝缘填充层上沉积透明公用电极；

(6)在透明公用电极上制备背光模组。

2.根据权利要求1所述的电控光阀被动式发光器件的制备工艺，其特征在于，步骤(1)中所述的碳纳米管为单壁、双壁或者多壁碳纳米管。

3.根据权利要求1所述的电控光阀被动式发光器件的制备工艺，其特征在于，步骤(3)中所述的TFT管为自对准顶栅型TFT管，自下而上依次为源漏电极层、有源层、栅极绝缘层和栅极。

4.根据权利要求3所述的电控光阀被动式发光器件的制备工艺，其特征在于，所述TFT管为金属氧化物TFT管或者低温多晶硅TFT管或者非晶硅TFT管或者微晶硅TFT管。

5.根据权利要求4所述的电控光阀被动式发光器件的制备工艺，其特征在于，所述TFT管为不透明材质，碳纳米管薄膜或者石墨烯薄膜的面积占整个像素面积的40％～70％。

6.根据权利要求4所述的电控光阀被动式发光器件的制备工艺，其特征在于，所述TFT管为透明材质，碳纳米管薄膜或者石墨烯薄膜的面积占整个像素面积的70％～95％。

7.根据权利要求1所述的电控光阀被动式发光器件的制备工艺，其特征在于，步骤(6)中制备的背光模组为时序式结构，由反射层及多层背光材料层构成，多层背光材料层设于所述透明公用电极上方，所述反射层设置于所述多层背光材料层上方。

8.根据权利要求7所述的电控光阀被动式发光器件的制备工艺，其特征在于，所述背光层材料为透明材料。

9.根据权利要求7所述的电控光阀被动式发光器件的制备工艺，其特征在于，所述步骤(2)中的绝缘膜层为氧化硅或者氧化铝绝缘膜层。

10.一种电控光阀被动式发光器件，其特征在于，由权利要求1～9任一项所述的制备工艺制备而成。