[发明专利]一种过渡金属硫属化物纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 201410332279.3 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104071846A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 向斌;杨雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 过渡 金属 硫属化物 纳米 及其 制备 方法 | ||
1.一种过渡金属硫属化物纳米线，所述过渡金属硫属化物纳米线具有由MoS2表示的化学组成，所述纳米线的长度在2μm至30μm之间。
2.权利要求1所述的过渡金属硫属化物纳米线，所述过渡金属硫属化物纳米线的直径在60nm至400nm之间。
3.权利要求1所述的过渡金属硫属化物纳米线，所述过渡金属硫属化物纳米线的两种典型的声子震动模式A1g与E12g的频率差为25cm-1，和/或其直接带隙为1.86eV。
4.一种过渡金属硫属化物纳米线的制备方法，所述过渡金属硫属化物薄膜具有由MoS2表示的化学组成，所述方法包括以下步骤：
(1)将S粉放在第一陶瓷舟中，使得S粉集中在第一陶瓷舟沿气流方向的上游端；并且将MoO3放在第二陶瓷舟中，使得MoO3在第二陶瓷舟的底部铺开；
(2)将纯Si衬底放在第二陶瓷舟上部，使得所述衬底抛光的面朝下；
(3)将第一陶瓷舟与第二陶瓷舟放置在管式炉中，使得第二陶瓷舟位于炉的中央，第一陶瓷舟位于气流上游；
(4)将第一陶瓷舟与第二陶瓷舟在惰性气氛的气流下煅烧，冷却后得到所述过渡金属硫属化物纳米线。
5.权利要求4所述的制备方法，其中步骤(4)中的煅烧在600至850℃的温度进行。
6.权利要求4所述的制备方法，其中在步骤(4)中的煅烧中的升温速率为5-30℃/分钟。
7.权利要求4所述的制备方法，其中步骤(4)中的煅烧中的保温时间为5-15分钟。
8.权利要求4所述的制备方法，其中步骤(1)中的S粉与MoO3的质量比为1∶2至1∶10。
9.权利要求4所述的制备方法，其中所述惰性气氛选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气和氙气。
10.权利要求1-3中的任一项所述的过渡金属硫属化物纳米线用于制备纳米尺度可见光探测器的用途。
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