[发明专利]一种垂直沟道恒流二极管制造方法在审
| 申请号： | 201410327686.5 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104103514A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 肖步文 | 申请（专利权）人： | 无锡信荣电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 沟道 二极管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直沟道恒流二极管制造方法，其特征在于衬底1为N-型硅单晶，N-衬底1正面有两个P+扩散区2，两个P+扩散区之间有一个N+扩散区3，表面有绝缘氧化层4，并分别在P+区2和N+区3开有窗口，P+区2和N+区3通过窗口与负电极金属5相连接，N-衬底1背面有P+注入层6与正电极金属7连接。
2.根据权利要求1所述一种垂直沟道恒流二极管制造方法，其衬底1为低掺杂N型硅晶片。
3.根据权利要求1所述一种垂直沟道恒流二极管制造方法，其背面是通过注入退火工艺，形成高浓度的P+注入层6。
4.根据权利要求1所述一种垂直沟道恒流二极管制造方法，其背面P+注入之前，要对衬底1背面进行减薄处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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