[发明专利]晶圆级封装红外探测器及其制备方法在审
| 申请号: | 201410321574.9 | 申请日: | 2014-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN104157719A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
| 发明(设计)人: | 孟如男;钱良山;姜利军 | 申请(专利权)人: | 浙江大立科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤 |
| 地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶圆级 封装 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种晶圆级封装红外探测器,其特征在于,包括聚光基板和探测器基板,所述聚光基板与所述探测器基板通过一焊料层连接,所述聚光基板允许红外光穿过并将红外光汇聚在探测器基板上。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述聚光基板朝向和/或背向所述探测器基板的表面覆盖有抗反射膜。
3.根据权利要求2所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述抗反射膜为用于窄带增透的单层抗反射膜或者为用于宽带增透的多层膜系。
4.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述聚光基板朝向所述探测器基板的表面设置有微结构,所述微结构用于提高所述聚光基板的红外光抗反射性能。
5.根据权利要求4所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述微结构表面设置有抗反射膜。
6.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述聚光基板为凸透镜基板。
7.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器,其特征在于,所述探测器基板包括读出电路、桥墩、桥腿和桥面,所述读出电路设置于所述探测器基板内部,所述桥墩设置在所述探测器基板表面且与所述读出电路电连接,所述桥腿设置在所述桥墩上且与所述桥面连接,使得所述桥面悬浮在所述探测器基板表面,在所述探测器基板的表面与所述桥面相对的部分设置有红外抗反射膜,所述红外抗反射膜与所述桥面形成红外共振腔。
8.一种晶圆级封装红外探测器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 提供一第一基板和一探测器基板,所述探测器基板含有红外探测元件; 在所述第一基板的一表面制作聚光结构,形成聚光基板,用以将红外光汇聚; 在所述第一基板的另一表面制作焊环; 在所述探测器基板含有红外探测元件的表面制作焊环; 以所述第一基板的焊环及所述探测器基板的焊环为中间层,将所述第一基板和探测器基板键合,所述第一基板允许红外光穿过并将红外光汇聚在探测器基板上。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在所述制作聚光结构步骤后,进一步包括一在所述第一基板朝向和/或背向所述探测器基板的表面覆盖抗反射膜的步骤。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在所述第一基板的另一表面制作焊环步骤之前,进一步包括一在所述第一基板朝向所述探测器基板的表面制作微结构的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





