[发明专利]形成具有外延隔离部件的图像传感器器件的结构

权利要求书

1.一种图像传感器器件，包括：

衬底，具有正面和背面；

辐射感测区域，形成在所述衬底中，其中，所述辐射感测区域可用于感测通过所述背面进入所述衬底的入射光；以及

外延隔离部件，形成在所述衬底中并且邻近于所述辐射感测区域，所述辐射感测区域和所述外延隔离部件具有不同的掺杂极性，所述外延隔离部件的底面低于所述辐射感测区域的底面；

其中，所述衬底与所述辐射感测区域具有相同的掺杂极性。

2.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中，所述外延隔离部件与所述辐射感测区域形成P-N结。

3.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中，所述外延隔离部件包括Ge、Si、GaAs、AlGaAs、SiGe、GaAsP或它们的组合。

4.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中，所述外延隔离部件的掺杂浓度介于1E17/cm³至1E18/cm³之间。

5.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中，所述外延隔离部件具有阶梯式掺杂浓度。

6.根据权利要求5所述的图像传感器器件，其中，所述外延隔离部件的掺杂浓度朝向所述衬底的正面增加。

7.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中，所述衬底的掺杂浓度小于所述辐射感测区域的掺杂浓度。

8.根据权利要求7所述的图像传感器器件，其中，所述外延隔离部件的深度大于所述辐射感测区域的深度。

9.一种图像传感器器件，包括：

衬底，具有正面和背面，其中，所述衬底具有第一掺杂极性；以及

辐射感测区域，形成在所述衬底中，所述辐射感测区域可用于感测通过所述背面进入所述衬底的入射光，并且具有所述第一掺杂极性，所述辐射感测区域的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度；以及

重掺杂区域，形成在所述衬底中并且邻近于所述辐射感测区域，所述重掺杂区域具有第一极性，并且所述重掺杂区域的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度，所述重掺杂区域和所述辐射感测区域限定位于它们之间的具有所述第一极性的沟道区域；

外延隔离部件，形成在所述衬底中并且邻近于所述辐射感测区域，所述外延隔离部件的底面低于所述辐射感测区域的底面。

10.根据权利要求9所述的图像传感器器件，进一步包括：覆盖在所述沟道区域上方的栅极介电层和栅电极。

11.根据权利要求10所述的图像传感器器件，其中，所述辐射感测区域、所述重掺杂区域、所述沟道区域、所述栅极介电层和所述栅电极构成晶体管，并且所述晶体管通过施加负偏置电压而保持截止。

12.根据权利要求9所述的图像传感器器件，其中，所述外延隔离部件具有不同于所述第一掺杂极性的第二掺杂极性。

13.根据权利要求9所述的图像传感器器件，进一步包括：形成在所述衬底的背面上方的滤色片层和透镜。

14.一种形成图像传感器器件的方法，包括：

提供具有正面和背面的衬底；

在所述衬底中形成具有第一掺杂极性的辐射感测区域；以及

在所述衬底中并且邻近于所述辐射感测区域形成外延隔离部件，其中，所述外延隔离部件具有不同于所述第一掺杂极性的第二掺杂极性，所述外延隔离部件的底面低于所述辐射感测区域的底面；

所述衬底掺杂为具有所述第一掺杂极性。

15.根据权利要求14所述的形成图像传感器器件的方法，其中，形成所述外延隔离部件包括原位掺杂。