[发明专利]一种脉宽展宽激光退火装置在审
| 申请号: | 201410285144.6 | 申请日: | 2014-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN105206517A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
| 发明(设计)人: | 徐建旭;兰艳平 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;G02B27/09 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 宽展 激光 退火 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种集成电路装备制造领域,尤其涉及一种脉宽展宽激光退火装置。
背景技术
过去数十年,电子器件制造遵循摩尔定律,经历了快速发展,减小集成电路尺寸是维持这一趋势的源动力,而随着制造尺寸的缩小,带来了制造工艺技术上的困难和挑战。在互补金属氧化物半导体晶体管的形成过程中,热处理一直起着关键的作用,特别是对于超浅结激活以及硅化物形成等关键过程来讲,更是至关重要。传统的快速退火已经很难满足32nm及更高节点的要求,新的退火技术替代快速热退火正在被大量研究,如闪光灯退火、激光尖峰退火、低温固相外延等。其中,激光退火技术已显示出良好的应用前景。
激光退火效果主要受到激光脉冲能量、激光脉宽,激光脉冲之间的延时的影响。对于不同的材料,最高激活率所需要的能量密度、脉冲宽度、脉冲之间的延时不同,这就需要激光器的能量、脉宽、和激光脉冲之间有尽可能大的调整量。
文献《DOUBLE-PULSEDLASERANNEALINGTECHNOLOGIESANDRELATEDAPPLICATIONS》中采用两个脉冲激光合束,脉冲激光的重复频率1Khz,延时控制器控制两个脉冲激光器之间的延时,主要用于insulatedgatebipolartransistors(IGBT)和low-temperaturepolycrystallinesiliconthin-filmtransistors(LTPS-TFTS)的退火,可以实现2μm的退火深度。激光器的重复频率固定,激光的脉宽不可调。
文献《纳秒级激光脉冲展宽系统的分析及应用》利用部分反射的光学环形腔,主要由分束镜(BS)、反射镜(M)组成。脉冲激光以45°入射到分束镜BS表面后被分束镜分为反射和透射两部分。透射光进入光学腔内并在腔内循环,每循环一周,将有一定的激光透射,透射率为(1-RBS)。这些透射光与第一次反射的激光在空间上相互重叠,在时间上按照一定的时间序列排列,形成一个较宽的激光脉冲,从而实现对激光脉宽的展宽。在激光脉宽展宽的过程中,能量损耗较大,且能量是从高到低,不是均匀分布。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺陷,本发明提供能实现调整脉宽展宽的退火装置。
为了实现上述发明目的,本发明公开一种脉宽展宽激光退火装置,其特征在于,包括:一光源发出的光束经过一脉宽调整单元调整该光束的时域分布及脉宽,该调整后的光束依次经过一准直扩束单元、匀光单元后进入一聚焦单元将该光束聚焦后入射一基底;该脉宽调整单元按照光束传播的方向依次包括一偏振分束器、一光线延迟单元和一偏振合束器。
更进一步地,该偏振分束器将该光束分为P偏振光和S偏振光,该光线延迟单元位于该P偏振光或该S偏振光的光路上,所述偏振合束器用于将经所述光线延迟单元处理的P偏振光和S偏振光合为一束。
更进一步地,该光线延迟单元按光线传播的方向依次包括一偏振分光棱镜,1/4波片,反射镜和角锥反射棱镜;入射偏振激光束经所述偏振分光棱镜、1/4波片后经所述反射镜反射,又入射至所述1/4波片,再经所述偏振分光棱镜反射到所述角锥反射棱镜,再经所述角锥反射棱镜反射,反射后的光束与所述入射偏振激光束分开再次入射至所述偏振分光棱镜,再入射至所述1/4波片,再经反射镜反射,再入射至1/4波片,形成出射偏振激光束后经偏所述振分光棱镜离开所述光线延迟单元。
更进一步地,该光线延迟单元还包括一水平移动台,该水平移动台改变该光束经过的光程以调整脉宽。
更进一步地,该光源是红外光、可见光或紫外光。
更进一步地,该光源发出的光束为至少两束。
更进一步地,该偏振分束器将该光束分为任意比例的P偏振光和S偏振光。
与现有技术相比较,本发明在光路上增加一个光束延迟单元,该单元包括偏振分光棱镜、1/4波片、可动反射镜,实现改变光束的光程,再通过光束叠加实现改变光束的脉宽。可以实现较宽的展宽范围,还可以实现合束后各个脉冲的能量分配。可以用一倍的空间达到4倍空间改变光程的效果,有效实现调整脉宽的效果。
附图说明
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。
图1是本发明所涉及的激光退火装置的结构示意图;
图2是本发明所涉及的激光退火装置的脉冲调整单元结构示意图之一;
图3是本发明所涉及的激光退火装置的脉冲调整单元结构示意图之二;
图4是本发明所涉及的激光退火装置的光线延迟单元的结构示意图之一;
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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