[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基板；

一第一阱，形成于该基板中，该第一阱具有一第一掺杂类型；

一第一重掺杂区，形成于该第一阱中，该第一重掺杂区具有一第二掺杂类型；

一第二重掺杂区，形成于该基板中并与该第一阱分离，该第二重掺杂区具有该第二掺杂类型；

一第二阱，形成于该基板中该第二重掺杂区下，该第二阱具有该第二掺杂类型；

一栅介电质，形成于该基板上介于该第一重掺杂区及该第二重掺杂区之间，并至少局部地形成于该第一阱上，该栅介电质至少在横跨延伸自接近该第二重掺杂区的一侧的一部分具有一均一的厚度；以及

一栅电极，形成于该栅介电质上；

其中，该第一重掺杂区位于一第一掺杂区内，该第二重掺杂区位于一第二掺杂区右侧且部分位于其上方，该第一掺杂区与该第二掺杂区直接接触左右相邻，该栅介电质横跨该第一掺杂区与该第二掺杂区之间；该栅介电质具有两个不同的厚度t1及t2，该栅介电质直接位在通道区上的部分的厚度t2小于位在其他部分的厚度t1，即该栅介电质直接位在通道区上的部分较薄。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

该第一掺杂区，形成于该第一阱中且具有该第一掺杂类型。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

该第二掺杂区，自该第二重掺杂区及该第二阱沿着该基板的一顶面延伸，该第二掺杂区具有该第二掺杂类型，其中该栅介电质具有该均一的厚度的该部分是形成于该第二掺杂区上。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一第三重掺杂区，形成于该第一重掺杂区中，该第三重掺杂区具有该第一掺杂类型。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一深阱，形成于该基板中，该深阱具有该第二掺杂类型，其中该第一阱及该第二阱是形成于该深阱中。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一埋藏层，形成于该基板中该第一阱及该第二阱下，该埋藏层具有该第二掺杂类型。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一静电放电保护元件，包括该第一阱、该第一重掺杂区、该第二重掺杂区、该第二阱、该栅介电质及该栅电极。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，更包括：

另一静电放电保护元件，对称于该静电放电保护元件地形成，其中该静电放电保护元件与该另一静电放电保护元件共享该第二重掺杂区及该第二阱。