[发明专利]一种同时改善STI和FG Poly填充空洞的闪存器件工艺方法

权利要求书

1.一种同时改善STI和FGPoly填充空洞的闪存器件工艺方法， 其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，设计闪存器件；

步骤2，通过调整隔离浅槽的开口形貌来调整STI填充空洞，并 建立隔离浅槽的开口形貌与STI填充空洞的关系；

步骤3，通过调整PADSiN的厚度来调整FGPoly填充空洞，并 建立PADSiN的厚度和FGPoly填充空洞的关系；

步骤4，通过隔离浅槽的开口形貌与STI填充空洞的关系以及PAD SiN的厚度和FGPoly填充空洞的关系，选择隔离浅槽的开口形貌与 PADSiN的厚度的组合。

2.如权利要求1所述的同时改善STI和FGPoly填充空洞的闪存 器件工艺方法，其特征在于，所述步骤2中的隔离浅槽的开口形貌呈 锥形。

3.如权利要求2所述的同时改善STI和FGPoly填充空洞的闪存 器件工艺方法，其特征在于，所述步骤2中通过选择不同倾斜角度的 隔离浅槽的开口形貌来整隔离浅槽的开口形貌。

4.如权利要求3所述的同时改善STI和FGPoly填充空洞的闪存 器件工艺方法，其特征在于，所述步骤2中隔离浅槽的开口形貌的倾 斜角度越大，所述STI填充空洞越少。

5.如权利要求4所述的同时改善STI和FGPoly填充空洞的闪存 器件工艺方法，其特征在于，所述步骤4中隔离浅槽的开口形貌的倾 斜角度越大，所述STI填充空洞越少，所述FGPoly填充空洞越多。

6.如权利要求5所述的同时改善STI和FGPoly填充空洞的闪存 器件工艺方法，其特征在于，所述步骤4中，在所述隔离浅槽的开口 形貌与STI填充空洞的关系的基础上，通过PADSiN的厚度和FG Poly填充空洞的关系，选择隔离浅槽的开口形貌与PADSiN的厚度 的组合。

7.如权利要求6所述的同时改善STI和FGPoly填充空洞的闪存 器件工艺方法，其特征在于，所述步骤4中的PADSiN的厚度越小， 所述STI填充空洞越少，所述FGPoly填充空洞越少。