[发明专利]一种彩色滤光片基板及其制备方法、有机发光显示面板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是一种彩色滤光片(Color Filter，CF)基板及其制备方法、有机发光显示面板、显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体面板(AMOLED，Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)作为下一代显示技术，不管在画质、效能及成本上都优于传统的薄膜场效应晶体管LCD(Thin Film Transistor LCD，TFT-LCD)。具体来说，在显示效能方面，AMOLED反应速度较快、对比度更高、视角也较广；AMOLED耗电量小，其耗电量大约仅有TFT-LCD的60％；另外，AMOLED具有自发光特色，不需要使用背光源，因此能够比TFT-LCD做得更轻薄，而且还能够节省背光模块的成本，而背光模块的成本在TFT-LCD制作成本中占有高达30-40％的比重。

但是AMOLED存在的最大的问题是良率，以目前的良率，AMOLED的价格比TFT-LCD高出很多，这就在很大程度上限制了AMOLED的广泛使用。

目前有些显示器厂商采用WOLED+CF方式来实现彩色显示，WOLED+CF方式即为在白色OLED背板上组合使用彩色滤光片(CF)，作为AMOLED的一种技术选择，WOLED+CF方式除了具有有机EL材料利用率高、开口率高、容易实现大屏幕化等优点外，还易于确保量产时的成品率。

WOLED+CF方式通常采用阵列背板与CF基板对位压盒的方式，常规用于LCD显示的CF基板的结构如图1所示，制作该CF基板时，通常先制作黑色遮光区(Black Matrix，BM)，然后制作红/绿/蓝(R/G/B)三种颜色的亚像素彩膜，最后在BM对应的位置处制作起支撑作用的柱状隔 垫物(Post Spacer，PS)，其具体工艺步骤包括：进行BM材料涂布及图形化；分别进行红色、绿色、蓝色光阻涂布及图形化；形成保护膜(Over-coat，OC)；形成PS柱。

但是由于AMOLED的WOLED+CF技术方案对于盒厚的要求较高，这就要求在CF基板中起支撑作用的PS柱的高度较高，这在工艺上实现的难度较大，工艺实现步骤较为复杂，良率不能够保证。并且，这种PS结构在和OLED背板的对盒过程中，容易产生破损，进而导致AMOLED整体良率降低。

发明内容

为了解决上述现有技术中存在的问题，本发明提出一种彩色滤光片基板及其制备方法、有机发光显示面板、显示装置。

根据本发明的一方面，提出一种彩色滤光片基板，所述彩色滤光片基板包括衬底基板、彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物，其中：

所述彩膜矩阵形成在所述衬底基板上，所述彩膜矩阵中，部分红、绿、蓝三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置；

所述黑矩阵及隔垫物依次形成在彩膜矩阵中红、绿、蓝三色光阻的交叠处之上。

其中，还包括阻挡层，所述阻挡层形成在所述彩膜矩阵和所述黑矩阵之间，用于减少黑矩阵材料的残留。

其中，所述阻挡层由无机材料制成。

其中，所述阻挡层由二氧化硅制成。

其中，所述阻挡层经过灰化处理。

其中，还包括辅助电极层，所述辅助电极层覆盖所述彩膜矩阵、黑矩阵和隔垫物。

其中，所述隔垫物的截面面积小于所述黑矩阵的截面面积。

根据本发明的另一方面，还提出一种有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板包括如上所述的彩色滤光片基板。

根据本发明的另一方面，还提出一种显示装置，所述显示装置包括如 上所述的有机发光显示面板。

根据本发明的再一方面，还提出一种彩色滤光片基板的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

在衬底基板上形成红、绿、蓝三色光阻层并进行图形化，形成彩膜矩阵，所述彩膜矩阵中，部分红、绿、蓝三色光阻在对应相邻像素之间的空隙处交叠存在，并且红、绿、蓝三色光阻分别在对应像素区域单独设置；

在所述彩膜矩阵中红、绿、蓝三色光阻的交叠处之上依次形成黑矩阵及隔垫物图形。

其中，还包括在所述彩膜矩阵上形成阻挡层的步骤，所述阻挡层用于减少黑矩阵材料的残留。

其中，所述阻挡层由无机材料制成。

其中，所述阻挡层由二氧化硅制成。

其中，在形成所述阻挡层之后，还包括对于所述阻挡层进行灰化处理的步骤。

其中，所述灰化处理的气氛为氧或氟，处理时间为10s-30s。