[发明专利]用于形成嵌入式锗硅源/漏结构的方法有效
| 申请号： | 201410264458.8 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105206576B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 邢德杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 形成 嵌入式 锗硅源 结构 方法 | ||
1.一种用于形成嵌入式锗硅源/漏结构的方法，包括：
提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上的栅极结构；
在所述前端器件结构的表面上形成氧化层；
在氧化层的表面上形成氮化硅膜，其中在栅极结构两侧具有包括氧化层和氮化硅膜的侧墙；
进行光刻工艺，定义源极和漏极的位置；
进行刻蚀工艺，在半导体衬底中要形成源极和漏极的位置形成凹陷区，其中在刻蚀工艺期间或者在刻蚀工艺完成之后对氧化层进行氮化以形成氮氧化硅覆盖层；
在凹陷区中外延生长嵌入式锗硅；以及
以嵌入式锗硅为基础进行离子注入形成源极和漏极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀工艺中，依次进行干法刻蚀步骤和湿法刻蚀步骤。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述干法刻蚀步骤之后且在所述湿法刻蚀步骤之前对氧化层进行氮化以形成氮氧化硅覆盖层。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述湿法刻蚀步骤之后且在外延生长嵌入式锗硅之前对氧化层进行氮化以形成氮氧化硅覆盖层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮氧化硅覆盖层中氮的原子百分含量为5％－30％。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氮化过程使用射频或微波等离子体氮化方法。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述嵌入式锗硅中可掺杂有硼。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，外延生长嵌入式锗硅使用SiH4、DCS及Si2H6中的一种或多种作为硅源，使用GeH4作为锗源，以及使用B2H6作为硼源。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，外延生长嵌入式锗硅是在400℃-900℃的温度下进行的。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层是用化学气相沉积工艺形成的二氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
