[发明专利]用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管及其制备方法

权利要求书

1.一种用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管，其特征在于，所述神经导管为圆管型，所述神经导管的管壁上设置有多列通孔，每列通孔沿圆管轴向等间距排布，相邻列的通孔错位排列。

2.如权利要求1所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管，其特征在于，所述神经导管的长度为5～50mm，所述神经导管的厚度为0.1～0.2mm。

3.如权利要求1所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管，其特征在于，所述通孔的孔径为0.03～0.3mm，所述神经导管的孔隙率为2～20％。

4.一种如权利要求1所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤1，将镁合金管坯一端加工出45°的锥面，进行挤压，得镁合金中间管材；

步骤2，将镁合金中间管材经多道次轧制、拉拔后，得毛细管；

步骤3，将毛细管进行去应力退火，保温，激光切割，打孔，得多孔导管；

步骤4，将多孔导管在超声清洗机中酸洗，电化学抛光处理，即可得用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管。

5.如权利要求4所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述镁合金管坯外径为所述挤压温度为300～400℃，所述镁合金中间管材的外径为壁厚为0.5～1mm。

6.如权利要求4所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述毛细管的外径为1～3mm，壁厚为0.1～0.2mm。

7.如权利要求4所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述去应力退火的温度为300～350℃，所述保温的时间为20～30min。

8.如权利要求4所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法，其特征在于，步骤4中，所述酸洗具体为：在酸洗液中超声酸洗5～30min。

9.如权利要求8所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法，其特征在于，所述酸洗液包括如下含量的各组分：磷酸80～100ml/L，氟化氢铵40～60g/L，溶剂为去离子水。

10.如权利要求4所述的用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管的制备方法，其特征在于，步骤4中，所述电化学抛光处理所用的抛光液为磷酸：无水乙醇体积比为1:1或乙二醇乙醚：盐酸体积比为9:1，所述抛光处理的电压为2～8V，抛光处理的时间为20～240s，抛光处理的温度为室温。