[发明专利]声波装置

权利要求书

1.一种声波装置，所述声波装置包括：

压电膜，所述压电膜位于基板上；

下电极和上电极，所述下电极和上电极隔着所述压电膜而彼此面对；

温度补偿膜，所述温度补偿膜在所述下电极和所述上电极将所述压电膜夹在之间并且彼此面对的谐振区域中位于所述下电极和所述上电极中的至少一个的与所述压电膜相反的一侧的表面上，并且具有符号与所述压电膜的弹性常数温度系数相反的弹性常数温度系数；以及

附加膜，所述附加膜在所述谐振区域中位于所述温度补偿膜的与所述压电膜相反的一侧的表面上，并且具有比所述温度补偿膜的声学阻抗大的声学阻抗，

其中，所述温度补偿膜是绝缘膜，并且所述附加膜不与所述下电极和所述上电极中的所述至少一个接触，并且

所述温度补偿膜和所述附加膜被布置为覆盖所述谐振区域。

2.根据权利要求1所述的声波装置，其中

所述下电极和所述上电极中设置有所述附加膜的电极的每单位面积的质量大于所述附加膜的每单位面积的质量。

3.根据权利要求1或2所述的声波装置，其中

所述附加膜包含与所述下电极和所述上电极相同的材料。

4.根据权利要求3所述的声波装置，其中

所述下电极和所述上电极中设置有所述附加膜的电极具有比所述附加膜的厚度大的厚度。

5.根据权利要求1或2所述的声波装置，其中

所述附加膜由绝缘材料制成。

6.根据权利要求1所述的声波装置，其中

所述温度补偿膜位于所述下电极的与所述压电膜相反的一侧的表面上，并且从所述谐振区域延伸以覆盖所述压电膜的下表面。

7.根据权利要求1或2所述的声波装置，其中

所述绝缘膜主要包含氧化硅、氮化硅或氧化锗。

8.根据权利要求1或2所述的声波装置，其中

所述压电膜主要包含氮化铝。

9.根据权利要求1或2所述的声波装置，其中

在所述谐振区域中，在所述下电极的下方设置有空隙。

10.根据权利要求1或2所述的声波装置，其中

在所述谐振区域中，在所述下电极的下方设置有反射在所述压电膜中传播的声波的声学反射膜。