[发明专利]一种新型TD-LTE系统信号发射装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种新型TD-LTE系统信号发射装置。

背景技术

TD-LTE终端射频一致性测试是通信行业非常关键的一致性测试之一，在3GPP标准、TE-LTE国家行业标准有严格规定，其中网络端发射喜好在基站的全面涉及验证、终端设备研发、设计验证、生产以及射频故障定位等方面起到非常关键的作用。我国要求TD-LTE终端射频一致性测试设备输出端的TD-LTE信号功率范围为0dBm~-120dBm。功率准确度为0.8dB，信号贷款待遇20MHz，因此，如何产生低噪声、低杂散、大动态范围、多路的TD-LTE信号成为TD-LTE终端射频一致性测试领域的研究前沿。

现有的射频发射信号的方法有很多种，针对LTE系统网络端发射还很少，大部分都是针对普通信号发射来说的，普通的射频发射方法只针对连续信号，LTE网络端发射信号是一个宽信息带宽、高峰均比的大动态猝发信号，利用普通的发射方法会造成信号的失真、功率不稳以及无法正常解调等现象。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种新型TD-LTE系统信号发射装置，能够产生低噪声、低杂散、大动态范围、多路的TD-LTE信号，并具有电压渐升电路，提高装置使用的安全性和稳定性，延长装置寿命。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种新型TD-LTE系统信号发射装置，它包括供电单元、电压渐升电路和功能模块，供电单元通过电压渐升电路与功能模块相连，所述的功能模块包括调制载波单元、混频滤波单元、开关滤波放大单元、稳幅放大单元、程控衰减单元、多路输出匹配单元，调制载波单元的输出端与混频滤波单元的输入端相连，混频滤波单元的输出端与开关滤波放大单元的输入端相连，开关滤波放大单元的输出端与稳幅放大单元的输入端相连，稳幅放大单元的输出端与程控衰减单元的输入端相连，程控衰减单元的输出端与多路输出匹配单元的输入端相连。

所述的混频滤波单元包括点频本振单元、窄带本振单元、宽带本振单元、第一混频滤波单元、第二混频滤波单元和第三混频滤波单元，第一混频滤波单元顺次与第二混频滤波单元、第三混频滤波单元相连，点频本振单元的输出端与第一混频滤波单元相连，窄带本振单元的输出端与第二混频滤波单元相连，宽带本振单元的输出端与第三混频滤波单元相连。

所述的电压渐升电路包括二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电容C1和PMOS管，输入电压的正极与二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极与PMOS管源极相连，PMOS管的栅极分别与二极管D2的阴极、电阻R1的一端相连，PMOS管的漏极分别与电阻R2的一端、输出电压的正极相连，输入电压的负极与输出电压的负极相连，同时输入电压的负极还与二极管D2的阳极、电阻R1、电阻R2相连，电容C1并联在输出端。 

本发明的有益效果是：

（1）设置了混频滤波单元，使装置能够产生低噪声、低杂散、大动态范围、多路的TD-LTE信号，满足了信号输出频率范围要求，有效的提高了TD-LTE终端射频一致性测试TD-LTE信号输出的精度和信号质量。

（2）设置了电压渐升电路，使装置免受瞬时高压和突然断电的损伤，提高了装置的安全性，延长了装置的使用寿命。

附图说明

图1为本发明结构框图；

图2为本发明混频滤波单元结构框图；

图3为本发明电压渐升电路电路图。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案，但本发明的保护范围不局限于以下所述。

如图1所示，一种新型TD-LTE系统信号发射装置，它包括供电单元、电压渐升电路和功能模块，供电单元通过电压渐升电路与功能模块相连，所述的功能模块包括调制载波单元、混频滤波单元、开关滤波放大单元、稳幅放大单元、程控衰减单元、多路输出匹配单元，调制载波单元的输出端与混频滤波单元的输入端相连，混频滤波单元的输出端与开关滤波放大单元的输入端相连，开关滤波放大单元的输出端与稳幅放大单元的输入端相连，稳幅放大单元的输出端与程控衰减单元的输入端相连，程控衰减单元的输出端与多路输出匹配单元的输入端相连。

如图2所示，所述的混频滤波单元包括点频本振单元、窄带本振单元、宽带本振单元、第一混频滤波单元、第二混频滤波单元和第三混频滤波单元，第一混频滤波单元顺次与第二混频滤波单元、第三混频滤波单元相连，点频本振单元的输出端与第一混频滤波单元相连，窄带本振单元的输出端与第二混频滤波单元相连，宽带本振单元的输出端与第三混频滤波单元相连。