[发明专利]在硅化物形成之前在触点蚀刻之后添加的电介质衬里

权利要求书

1.一种用于形成金属氧化物半导体MOS晶体管的方法，其包括：

提供包含半导体表面的衬底，所述半导体表面具有：栅极电极，其在所述半导体表面上的栅极电介质上；电介质间隔件，其在所述栅极电极的侧壁上；源极及漏极，其至少部分地在所述半导体表面中在所述栅极电极的相对侧上；以及金属前电介质PMD层，其在所述栅极电极上方和所述源极及所述漏极上方；

穿过所述PMD层形成接触孔以形成到所述栅极电极的触点和到所述源极及所述漏极的触点；

在所述形成之后在到所述栅极电极的所述触点以及到所述源极及所述漏极的所述触点上且在所述PMD层的侧壁上沉积触点蚀刻后电介质层；

从到所述栅极电极的所述触点和到所述源极区域及所述漏极区域的所述触点选择性地去除所述触点蚀刻后电介质层以在所述PMD层的所述侧壁上形成电介质衬里，以及

在所述接触孔中的每一者内形成金属硅化物层，所述金属硅化物层在所述侧壁上的所述电介质衬里之间延伸。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述触点蚀刻后电介质层包括氮化硅SiN或氮氧化硅SiON、碳化硅SiC或碳氮化硅SiCN。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述触点蚀刻后电介质层的厚度为1nm到10nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极电极包括金属栅极且所述栅极电介质包括Hi-k电介质。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除包括氩气Ar预溅镀或反应性离子蚀刻RIE。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属硅化物层包括镍、铂、钴、钛、金或镍合金。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极电极包括多晶硅栅极。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述MOS晶体管包括至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管。

9.一种集成电路IC，其包括：

衬底，其具有半导体表面，

多个金属氧化物半导体MOS晶体管，其形成于所述半导体表面中，包含NMOS晶体管及PMOS晶体管，所述NMOS晶体管及所述PMOS晶体管各自包含：源极及漏极，其至少部分地在所述半导体表面中；以及栅极电极，其在所述半导体表面上的栅极电介质上；电介质间隔件，其在所述栅极电极的侧壁上；以及金属前电介质PMD层，其在所述栅极电极上方和所述源极及所述漏极上方；

接触孔，其穿过所述PMD层以提供到所述NMOS晶体管及所述PMOS晶体管的所述栅极电极、所述源极及所述漏极的触点；

电介质衬里，其在所述接触孔的侧壁上，以及

金属硅化物层，其在所述接触孔中的每一者内，所述金属硅化物层在所述侧壁上的所述电介质衬里之间延伸。

10.根据权利要求9所述的IC，其中所述电介质衬里包括氮化硅SiN或氮氧化硅SiON、碳化硅SiC或碳氮化硅SiCN。

11.根据权利要求9所述的IC，其中所述电介质衬里的厚度为从1nm到10nm。

12.根据权利要求9所述的IC，其中所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管两者的所述栅极电极包括金属栅极，且其中所述NMOS晶体管及所述PMOS晶体管两者的所述栅极电介质包括Hi-k电介质。

13.根据权利要求9所述的IC，其中所述金属硅化物层包括镍、铂、钴、钛、金或镍合金。

14.根据权利要求9所述的IC，其中所述NMOS晶体管及所述PMOS晶体管两者的所述栅极电极包括多晶硅栅极。