[发明专利]一种制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成栅极结构；

在所述半导体衬底上形成包围栅极的侧墙；

在所述半导体衬底上曝光形成仅露出PMOS区域的光刻胶层；

各向异性刻蚀所述半导体衬底从而在源漏区形成沟槽；

各向同性继续刻蚀所述沟槽，所述各向同性刻蚀的气体为纯氢气，以减少所述侧墙的损耗；

执行刻蚀后处理工艺；

湿法刻蚀所述沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在湿法刻蚀之前采用灰化工艺去除所述光刻胶层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述灰化工艺为富氧灰化工艺或者无氧灰化工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀的气体主要包括溴化氢和氯气。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀后处理工艺的气体包括纯氮气或者氮气和氢气的混合气体。