[发明专利]应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法。

背景技术

半导体生产中，硅片边缘随机产生的缺陷源头，比如划伤，粘污等非常常见，而且随着生产工艺的复杂程度增加，其在不同工艺步骤产生的几率也越来越高，此种硅片边缘的缺陷源头会在后续的清洗步骤中被水流冲出来，并且很大几率形成线状缺陷100，如图1所示，为良率提升带来障碍。

目前针对此类线状缺陷100，业界普遍的做法是缺陷发生后经过水的刷洗进行去除，但是由于硅片内的图形非常脆弱，而且会将线状颗粒物缺陷卡在图形中，很难去除干净，更有甚者，可能会对图形造成损伤。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，从而为良率提升做出贡献。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法，其包括：

第一步骤，确定在线水洗后晶圆将发生晶边线状缺陷的特定工艺站点；

第二步骤，在将晶圆在特定工艺站点进行处理之前，应用晶边检测机台检测硅片的晶边状况以确定晶边是否存在缺陷源头；

第三步骤，针对被检测到存在晶边缺陷源头的晶圆进行晶边刻蚀，以去除所述缺陷源头。

优选地，应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法还包括在第三步骤之后，将晶圆在特定工艺站点进行处理。

优选地，在第一步骤中，将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点。

优选地，在第一步骤中，通过统计分析方法将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点。

优选地，所述预定百分比可以优选地介于1％至5％之间。

优选地，所述特定工艺站点包括金属硅化物热退火工艺水洗站点。

优选地，所述缺陷源头包括晶圆表面的划伤。

优选地，所述缺陷源头包括晶圆表面的粘污。

通过应用本发明，可以有效地预防线状缺陷的发生，为大批量晶圆生成提供良率保障。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了现有技术中的存在的线状缺陷。

图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法的流程图。

图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的晶边扫描发现的缺陷源头。

图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的刻蚀去除缺陷源头。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

本发明的发明人通过观察分析，发现晶边线状缺陷发生的根本原因是晶边存在缺陷源头，比如划伤，粘污等。由此，在本发明中，可以通过在清洗步骤之前检测此缺陷源头，并通过晶边刻蚀的方式将其去除，从而去除此类缺陷发生的源头，进而实现预防缺陷发生的目的。

图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法的流程图。

如图2所示，根据本发明优选实施例的应用晶边扫描预防线状分布缺陷发生的方法包括：

第一步骤S1，确定在线水洗后晶圆将发生晶边线状缺陷的特定工艺站点；优选地，可以将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点；

进一步优选地，例如，可以通过统计分析方法将预定数量的连续晶圆中发生晶边线状缺陷的晶圆个数超过所述预定数量的预定百分比的工艺站点确定为特定工艺站点；

例如，所述预定百分比可以优选地介于1％至5％之间。

比如，所述特定工艺站点包括金属硅化物热退火工艺水洗站点；