[发明专利]一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构在审
| 申请号： | 201410216647.8 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097927A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐帆;牟志强;蒋乐乐 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 soi 器件 击穿 电压 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种SOI高压器件新结构，包括漂移区，埋氧层，衬底，其特征是漂移区从源端到漏端逐渐变薄，但漏端的击穿电压不受漂移区变薄而降低。
2.根据权利要求1所术的SOI高压器件,其特征是埋氧层将是阶梯型埋氧层。
3.根据权利要求1所术的SOI高压器件,其特征是源端到漏端埋氧层将是双面阶梯型埋氧层。
4.根据权利要求1所术的SOI高压器件,其特征是漏端下方将是双层复合介质埋层结构。
5.根据权利要求3所术的SOI高压器件,其特征是双层复合介质埋层之间开有窗口。
6.根据权利要求1所术的SOI高压器件,其特征是双层复合介质埋层之间将填充多晶硅介质。
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