[发明专利]一种铁电存储器有效
| 申请号: | 201410210114.9 | 申请日: | 2014-05-16 |
| 公开(公告)号: | CN105097010B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
| 发明(设计)人: | 贾泽;赵俊峰;杨伟;邹重人 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司;电子科技大学 |
| 主分类号: | G11C11/22 | 分类号: | G11C11/22 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285 | 代理人: | 王仲凯 |
| 地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 存储器 | ||
1.一种铁电存储器,其特征在于,包括:
第一存储单元列、第一参考单元、第二参考单元和控制电路;
所述第一存储单元列包括至少一个存储单元,所述至少一个存储单元用于存储数据,其中,每个存储单元中包括一个铁电电容以及一个晶体管;
所述控制电路与所述第一参考单元、所述第二参考单元以及所述第一存储单元列中的存储单元连接;
所述第一参考单元和第二参考单元用于提供参考电压,其中,每个参考单元中包括一个铁电电容以及一个晶体管,所述第一参考单元与所述第二参考单元中存储的数据的取值不同;
所述控制电路,用于在读取所述第一存储单元列中的第一存储单元中存储的数据时,根据所述参考电压与所述第一存储单元的输出信号获得所述第一存储单元中存储的数据;在读取所述第一存储单元中存储的数据之后,将与读取的数据的取值不同的数据写入所述第一参考单元,并将与读取的数据的取值相同的数据写入所述第二参考单元。
2.根据权利要求1所述的铁电存储器,其特征在于,所述控制电路包括第一电压放大器、第一三极管和第一使能反相器;
所述第一三极管的第一端连接所述第一参考单元的位线,所述第一三极管的第二端连接所述第二参考单元的位线,其中,所述第一三极管的第一端和第二端均不是所述第一三极管的导通控制端;
所述第一使能反相器的输入端连接所述第一参考单元的所述位线,所述第一使能反相器的输出端连接所述第二参考单元的位线;
所述第一电压放大器的放大信号输入端连接所述第一存储单元的位线,所述第一电压放大器的参考电压输入端连接所述第一参考单元的所述位线。
3.根据权利要求1或2所述的铁电存储器,其特征在于,所述第一存储单元列包含多个存储单元,所述第一存储单元列中的所述多个存储单元共用相同的位线。
4.根据权利要求1或2所述的铁电存储器,其特征在于,还包括:
第二存储单元列,其中,所述第二存储单元列包括至少一个存储单元;所述控制电路与所述第二存储单元列中的存储单元连接;所述第二存储单元列包括的所述至少一个存储单元用于存储数据,其中,所述第二存储单元列中的每个存储单元中包括一个铁电电容以及一个晶体管;
所述控制电路,还用于在读取所述第二存储单元列中的第二存储单元中存储的数据时,根据所述参考电压与所述第二存储单元的输出信号获得所述第二存储单元中所存储的数据;在读取所述第二存储单元中存储的数据之后,将与读取的所述第二存储单元中存储的数据的取值不同的数据写入所述第二参考单元,并将与读取的所述第二存储单元中存储的数据的取值相同的数据写入所述第一参考单元。
5.根据权利要求4所述的铁电存储器,其特征在于,所述控制电路还包括:第二电压放大器和第二使能反相器;
所述第二使能反相器的输入端连接所述第二参考单元的位线,所述第二使能反相器的输出端连接所述第一参考单元的位线;所述第二电压放大器的放大信号输入端连接所述第二存储单元的位线,所述第二电压放大器的参考电压输入端连接所述第二参考单元的所述位线。
6.根据权利要求4所述的铁电存储器,其特征在于,所述第二存储单元列包含多个存储单元,所述第二存储单元列中的所述多个存储单元共用相同的位线。
7.根据权利要求4所述的铁电存储器,其特征在于,
还包括:第三存储单元列、第三参考单元和第四参考单元;
其中,所述第三存储单元列包括至少一个存储单元,所述第三存储单元列包括的所述至少一个存储单元用于存储数据,其中,所述第三存储单元列中的每个存储单元中包括一个铁电电容以及一个晶体管;
所述第三参考单元和所述第四参考单元用于提供参考电压,其中,所述第三参考单元和所述第四参考单元中的每个参考单元中包括一个铁电电容以及一个晶体管,所述第三参考单元与所述第四参考单元中存储的数据的取值不同;
所述控制电路还可用于,在读取所述第三存储单元列中的第三存储单元中所存储的数据时,根据所述第三存储单元的输出信号,以及所述第三参考单元和第四参考单元提供的参考电压,获得所述第三存储单元中所存储的数据;在读取所述第三存储单元所存储的数据后,将与读取的所述第三存储单元中所存储的所述数据的取值相同的数据写入所述第四参考单元,将与读取的所述第三存储单元中所存储的所述数据的取值不同的数据写入所述第三参考单元。
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