[发明专利]阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201410208869.5 | 申请日： | 2014-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103995387A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 永山和由 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的栅线、数据线及两者交叉形成的若干像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管，其特征在于，离阵列基板的栅极驱动一侧越远，薄膜晶体管的有源层与薄膜晶体管的源极重叠面积呈增大的趋势。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，按列将像素单元分成n组，1＜n≤N，N为总列数，靠近阵列基板的栅极驱动一侧的第一列像素起，第i+1组像素单元的薄膜晶体管的有源层与薄膜晶体管的源极重叠面积比第i组像素单元的薄膜晶体管的有源层与薄膜晶体管的源极重叠面积大ΔSi，1≤i≤n－1，同组中的薄膜晶体管的有源层与薄膜晶体管的源极重叠面积相同。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每组像素单元的列数相等。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，离阵列基板的栅极驱动一侧越远，所述薄膜晶体管的有源层与漏极重叠面积呈减小的趋势。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，按列将像素单元分成m组，1＜m≤N，N为总列数，靠近阵列基板的栅极驱动一侧的第一列像素起，第j+1组像素单元的薄膜晶体管的有源层与数据线重叠面积比第j组像素单元的薄膜晶体管的有源层与数据线重叠面积小ΔSj，1≤j≤m－1，同组中的薄膜晶体管的有源层与数据线重叠面积相同。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，每组像素单元的列数相等。
7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，m＝n。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，当i＝j时，ΔSi＝ΔSj。
9.如权利要求1～8中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层材料为氧化物半导体。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的阵列基板。
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