[发明专利]高频体声波延迟线换能器制备方法及高频体声波延迟线有效
| 申请号: | 201410205053.7 | 申请日: | 2014-05-15 |
| 公开(公告)号: | CN103985949A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
| 发明(设计)人: | 江洪敏;陈运祥;马晋毅;石越;杜波 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号: | H01P11/00 | 分类号: | H01P11/00;H01P9/00 |
| 代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 李海华 |
| 地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高频 声波 延迟线 换能器 制备 方法 | ||
1.一种高频体声波延迟线换能器制备方法,其特征在于:步骤如下,
1)清洗传声介质;
2)在传声介质两个端面分别沉积底电极薄膜,用上电极光刻板进行底电极薄膜的光刻,形成底电极图形;
3)在两端底电极上沉积压电层薄膜,压电层薄膜材料为氮化铝;
4)在两端压电层薄膜上沉积上电极薄膜,用底电极光刻板进行上电极薄膜的光刻,形成上电极图形。
2.根据权利要求1所述的高频体声波延迟线换能器制备方法,其特征在于:所述底电极薄膜由底电极打底层和底电极层构成,先在传声介质两个端面沉积底电极打底层,底电极打底层薄膜材料为铬;然后在底电极打底层上沉积底电极层,底电极层薄膜材料为金;底电极图形光刻时要同时对底电极打底层和底电极层进行光刻。
3.根据权利要求1所述的高频体声波延迟线换能器制备方法,其特征在于:所述压电层薄膜材料为(002)面取向的AlN。
4.根据权利要求1所述的高频体声波延迟线换能器制备方法,其特征在于:所述上电极薄膜由上电极打底层和上电极层构成,先在压电层薄膜上沉积上电极打底层,上电极打底层的薄膜材料为金属钛;然后在上电极打底层上采用蒸发方法沉积上电极层,上电极层的薄膜材料为铝;上电极图形光刻时要同时对上电极打底层和上电极层进行光刻。
5.根据权利要求1所述的高频体声波延迟线换能器制备方法,其特征在于:所述传声介质为钇铝石榴石。
6.一种高频体声波延迟线,包括输入匹配网络、输入端键和线、输入换能器,传声介质、输出换能器、输出端键和线、输出匹配网络、固定传声介质的导电银浆和金属外壳;输入换能器和输出换能器均包括底电极、压电薄膜和上电极,在底电极和上电极上分别光刻有图形;其特征在于:压电薄膜不需要光刻;底电极图形用上电极光刻板光刻得到,上电极图形用底电极光刻板光刻得到;上电极通过键和线与对应的匹配网络相连,分别将电信号引入引出到器件输入输出端。
7.根据权利要求6所述的高频体声波延迟线,其特征在于:所述匹配网络为微带短截线阻抗匹配网络,制作在微波介质板上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十六研究所,未经中国电子科技集团公司第二十六研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410205053.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:呈金字塔型的网络遥控器
- 下一篇:一种多功能气管插管导芯





