[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成硬掩模，所述硬掩模的材料为非硅氧化合物；

以所述硬掩模为掩模刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层内形成第一开孔。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层上形成硬掩模的工艺包括：

在所述牺牲层上形成硬掩模材料层；

以干法刻蚀工艺刻蚀所述硬掩模材料层形成所述硬掩模，所述干法刻蚀工艺包括：采用非氟基气体作为刻蚀剂刻蚀所述硬掩模层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述非氟基气体为溴化氢、氧气和氯气的混合气体。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，

刻蚀所述硬掩模材料层的干法刻蚀工艺的参数包括：

气压为5～15mtorr，射频功率为400～600W，偏置功率为200～400W，氧气的流量为0.01～10sccm，溴化氢的流量为100～150sccm，氯气的流量为100～150sccm。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀所述牺牲层的工艺为干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺采用非氟基气体作为刻蚀剂。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述非氟基气体为氩气和氧气的混合气体。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，

刻蚀所述牺牲层的干法刻蚀工艺的参数包括：

气压为90～110mtorr，射频功率为800～1200W，偏置功率为200～400W，氩气的流量为30～80sccm，氧气的流量为200～3000sccm。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层内形成第一开孔后，所述形成方法还包括：干法清洗，以清洗牺牲层内的第一开孔；

所述干法清洗的步骤包括：以氩气和氧气的混合气体作为清洗剂。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述干法清洗步骤的工艺参数为：

气压为90～100mtorr，射频功率为250～350W，偏置功率为250～350W，氧气的流量为0.01～30sccm，氩气的流量为200～400sccm。

10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述清洗剂还含有四氟化碳气体，且所述四氟化碳气体的体积百分比含量小于或等于1/100。

11.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，在所述干法清洗后，所述形成方法还包括：湿法清洗。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗的步骤中以氟化氨和氢氟酸的混合溶液为清洗剂。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层内形成第一开孔后，所述形成方法还包括在所述牺牲层上形成金属材料层，所述金属材料层填充满所述牺牲层内的第一开孔，在所述第一开孔内形成金属插塞。

14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述硬掩模的材料与所述金属材料层的材料相同。

15.如权利要求14所述的形成方法，其特征在于，在形成所述金属材料层后，所述形成方法还包括去除所述牺牲层上方的金属材料层和硬掩模，露出所述牺牲层。

16.如权利要求15所述的形成方法，其特征在于，在露出所述牺牲层后，在所述牺牲层上形成传感器结构，所述传感器结构内包括露出所述牺牲层的第二开孔，向所述第二开孔内通入刻蚀气体，去除部分牺牲层，在所述牺牲层内形成空腔。

17.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述硬掩模的材料为锗硅材料。

18.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层材料为无定形碳。

19.如权利要求18所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度大于或等于。

20.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底包括基底，以及设置在所述基底内且裸露在所述基底表面的互连结构；

以所述硬掩模为掩模刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层内形成第一开孔的工艺包括：

刻蚀所述牺牲层形成露出所述互连结构的所述第一开孔。