[发明专利]LED模组的散热结构及散热方法无效

专利信息
申请号: 201410193836.8 申请日: 2014-05-08
公开(公告)号: CN103956358A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 郑怀文;杨华;卢鹏志;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/64
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: led 模组 散热 结构 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种散热方法,尤其涉及一种LED模组的散热结构及散热方法。

背景技术

由于LED灯具有高亮度、节能等功效,在各种场合使用越来越多,但由于发热量较大,常需要散热来保证其正常工作,目前制约着LED光源发展的最大技术壁垒就是LED封装的热传导和热沉降问题,即LED的散热问题。LED做为光源来说,长时间的工作也会产生大量的热量积累,这就要求LED光源的散热器件工作效率良好,能由较短的传导途径去疏导热能,尽量降低温度过高给芯片带来的损害。(没有填充散热材料)现有技术中没有在侧面填充散热材料的封装结构和封装方法,芯片侧面散热通道缺失,水平面上热流密度高,整体热阻高。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种LED模组的散热结构,具有结构简单、工作温度降低、热阻小等优点。

本发明的另一目的在于,提供一种LED模组的散热方法,具有散热效果好的优点。

本发明提供一种LED模组的散热结构,包括:

一散热基板;

一粘结层,其形成在散热基板的上面;

多个LED芯片,其均匀粘接在粘结层的上面;

一侧面散热材料,其填充在各LED芯片之间。

本发明还提供一种LED模组的散热方法,其是采用如如前所述的散热结构,包括如下步骤:

步骤S1:固晶,把多个LED芯片均匀粘结在LED支架的指定区域,形成热通路或电通路;

步骤S2:在各LED芯片的所有侧面填充侧面散热材料;

步骤S3:打线,连接各LED芯片的电极;

步骤S4:在各LED芯片3和侧面散热材料上灌胶,完成散热方法的步骤。

本发明的有益效果是,增加LED芯片3侧面散热通道,促使热量在水平方向扩散,提高模组水平面热均匀性,从而降低模组整体热阻。

附图说明

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明,其中:

图1为本发明为LED模组的散热结构的截面结构示意图;

图2为本发明为LED模组的散热结构的正面结构示意图;

图3为本发明的步骤流程图。

具体实施方式

请参阅图1及图2所示,本发明提供一种LED模组的散热结构,包括:

一散热基板1,该基板材料为铜,也可以是铝、硅、陶瓷、玻璃纤维增强聚合物、钨铜、钼铜、天然石墨增强环氧树脂、连续化碳化纤维增强聚合物、非连续化碳化纤维增强铜,碳化硅颗粒增强铜,非连续碳化纤维增强碳化硅,泡沫碳增强铜等;

一粘结层2,其形成在散热基板1的上面,该粘结层材料为银浆、也可以是导热硅脂、金锡、金、金锗、石墨等;

多个LED芯片3,其均匀粘接在粘结层2的上面,所述LED芯片3为正装芯片、倒装芯片或垂直芯片,芯片基底为蓝宝石、碳化硅等;

一侧面散热材料4,其填充在各LED芯片3之间,所述散热材料4为银浆、导热硅脂、金刚石、陶瓷、硅片或金锡焊片。在各LED芯片3之间填充侧面散热材料4,增加LED芯片3侧面散热通道,促使热量在水平方向扩散,提高模组水平面热均匀性,从而降低模组整体热阻,提高光功率。

请参阅图3所述,同时结合参阅图1及图2,本发明一种LED模组的散热方法,其是采用前述的散热结构,包括如下步骤:

步骤S1:固晶,把多个LED芯片3均匀粘结在LED支架的指定区域,形成热通路或电通路,所述LED芯片3为正装芯片、倒装芯片或垂直芯片,固晶时在常温下,使用银浆,通过固晶机或者人工固晶,也可以通过共晶机,使用金锡焊片在400摄氏度下固晶;

步骤S2:在各LED芯片3的所有侧面填充侧面散热材料4,所述侧面散热材料4为银浆、导热硅脂、金刚石、陶瓷、硅片或金锡焊片;

步骤S3:打线,连接各LED芯片3的电极,可通过自动打线机打金线,也可用植球机打金线,倒装芯片无需打线;

步骤S4:在各LED芯片3和侧面散热材料4上灌胶,所述LED芯片3的侧面填充的侧面散热材料4的填充方式包括直接填充、加热填充、通过粘结剂填充或压合粘结填充,完成散热方法的步骤。银浆、导热硅脂等胶体或者粉体材料,可直接填充。金刚石、陶瓷、硅片等固体材料,可通过粘结剂填充或者压合粘结填充,金锡焊片等材料可通过加热填充。侧面散热材料4的填充厚度不高于芯片厚度。

以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410193836.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top