[发明专利]压力传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201410188950.1 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105092110A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 钱栋彪 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/04 | 分类号： | G01L1/04 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压力传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：
检测薄膜，设于硅衬底上，用于检测施加在所述检测薄膜表面的压力并产生与压力大小相适应的凸起形变；
光发射器和光检测器，设于硅衬底上，位于与所述检测薄膜所在平面平行的平面，并相对地置于所述检测薄膜两侧；
压力计算模块，与所述光检测器连接，获取检测到的光强数据，并根据所述光强数据计算压力值。
2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述检测薄膜为与所述硅衬底一体的硅结构。
3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述检测薄膜的厚度为5～100微米。
4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述检测薄膜的凸起量在30微米以内。
5.根据权利要求4所述的压力传感器，其特征在于，所述光发射器发射的光束的直径大于所述检测薄膜的最大凸起量。
6.根据权利要求5所述的压力传感器，其特征在于，所述光发射器发射的光束的直径为300微米以内。
7.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述光发射器的发射端光纤和光检测器的接收端光纤相对地设于所述检测薄膜所在平面，并置于所述检测薄膜两侧。
8.一种压力传感器的制作方法，包括如下步骤：
提供硅衬底；
在所述硅衬底上用于形成检测薄膜的区域进行蚀刻得到具有设定厚度的检测薄膜；
在所述硅衬底上设置光发射器和光检测器，所述光发射器和光检测器相对地设于与所述检测薄膜所在平面平行的平面，并置于所述检测薄膜两侧。
9.根据权利要求8所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，在所述硅衬底上设置光发射器和光检测器，具体是在所述硅衬底上设置所述光发射器的发射端光纤和光检测器的接收端光纤。
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