[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410183949.X | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105097647B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 江卢山;陈晓军;张海芳;陈政;冯霞;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底的正面形成有硅通孔；
采用平坦化工艺处理所述半导体衬底的背面以露出所述硅通孔的底部，所述硅通孔包括导电层和阻挡层；
回刻蚀所述硅通孔的底部以去除部分的所述导电层，以使蚀刻后的导电层的表面低于半导体衬底和阻挡层的表面；
在所述半导体衬底的背面上形成具有第一开口的第一钝化层，其中所述第一开口位于所述导电层的上方。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述第一钝化层之后在所述第一钝化层上形成再布线层的步骤，其中，所述再布线层填充所述第一开口和覆盖部分的所述第一钝化层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述再布线层之后在所述半导体衬底的背面上形成具有第二开口的第二钝化层的步骤，其中，所述第二开口位于所述再布线层的上方。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述第二钝化层之后在所述第二开口中植入焊料球的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层的宽度为20-30微米。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一开口的宽度为10-20微米。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述再布线层的厚度为5-10微米，所述再布线层的材料为金属铜。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述平坦化工艺为研磨和/或抛光。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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