[发明专利]一种用于芯片ESD保护的抗噪声结构

权利要求书

1.一种用于芯片ESD保护的抗噪声结构，其特征在于，包括P型衬底(1)、位于P型衬底(1)上层的埋氧层(34)和位于埋氧层(34)上层的P型外延层(03)；其中，P型外延层(03)中部纵向设置有第一隔离槽(33)将P型外延层(03)隔离为两个部分；第一隔离槽(33)一侧的P型外延层(03)中设置有第一N阱(02)、第一N+区(24)、第一P+区(13)、第二N+区(25)、第三N+区(26)和第二P+区(14)；第一N阱(02)位于P型外延层(03)的上层，其一侧与第一隔离槽(33)连接；第一N+区(24)与第一P+区(13)侧面相连接并位于第一N阱(02)上层，第一N+区(24)的一侧与第一隔离槽(33)连接；第二N+区(25)位于第一N阱(02)上层远离第一P+区(13)的一端；第一P+区(13)与第二N+区(25)之间的第一N阱(02)上表面设置有厚氧层(32)；第三N+区(26)和第二P+区(14)侧面相连接并位于P型外延层(03)上层远离第一N阱(02)的一端；第三N+区(26)与第二N+区(25)之间的P型外延层(03)的上表面设置有第一栅氧层(42)，第一栅氧层(42)的上层设置有第一多晶硅栅(52)；第二P+区(14)、第三N+区(26)和第一多晶硅栅(52)通过金属线相连作为阴极；

第一隔离槽(33)另一侧的P型外延层(03)的中部纵向设置有第二隔离槽(31)将第一隔离槽(33)另一侧的P型外延层(03)隔离为两个部分；第一隔离槽(33)与第二隔离槽(31)之间的P型外延层(03)中设置有第二N阱(04)，第二N阱(04)位于P型外延层(03)上层，其侧面分别与第一隔离槽(33)和第二隔离槽(31)连接，其上层设置有侧面相连接的第三P+区(12)和第四N+区(23)；第三P+区(12)的另一侧面与第二隔离槽(31)连接，第四N+区(23)的另一侧面与第一隔离槽(33)连接；第四N+区(23)、第一N+区(24)与第一P+区(13)通过金属线连接作为阳极；第二隔离槽(31)另一侧的P型外延层(03)的上层设置有第五N+区(22)、第四P+区(11)与第五N+区(21)；第五N+区(22)的一侧与第二隔离槽(31)连接；第五N+区(22)与第五N+区(21)通过金属线连接；第四P+区(11)与第五N+区(21)侧面相连，其表面通过金属线连接作为阴极；第五N+区(21)与第五N+区(22)之间的P型外延层(03)的上表面设置有第二栅氧层(41)，第二栅氧层(41)的上层设置有第二多晶硅栅(51)。

2.根据权利要求1所述的一种用于芯片ESD保护的抗噪声结构，其特征在于，第一隔离槽(33)一侧的P型外延层(03)中纵向设置有第三隔离槽(34)将第一隔离槽(33)一侧的P型外延层(03)隔离为两个部分；第一隔离槽(33)与第三隔离槽(34)之间的P型外延层(03)上层设置有第三N阱(05)；第三N阱(05)上层设置有第五P+区(15)和第六N+区(27)，第五P+区(15)的一侧与第一隔离槽(33)连接，第六N+区(27)的一侧与第三隔离槽(34)连接，第五P+区(15)与第六N+区(27)之间的P型外延层(03)上表面设置有厚氧层(35)；第四N+区(23)与第五P+区(15)通过金属线连接；第一N阱(02)和第一N+区(24)与第三隔离槽(34)的侧面连接，第六N+区(27)、第一N+区(24)与第一P+区(13)通过金属线连接。