[发明专利]一种非易失性存储装置

说明书

本发明公开了一种非易失性存储装置，所述装置包括第一闪存和第二闪存，其中，所述第一闪存包括片选信号线和通信信号线，用于当所述非易失性存储装置处于第一闪存模式下时，执行第一闪存能识别的操作指令的操作，所述第二闪存包括片选信号线和通信信号线，第二闪存的片选信号线与第一闪存连接，第二闪存的通信信号线与第一闪存的通信信号线连接，用于当所述非易失性存储装置处于第二闪存模式下时，执行第二闪存能识别的操作指令的操作。本发明实施例提供的非易失性存储装置实现了第一闪存和第二闪存的兼容，提高了数据存储的稳定性和便捷性，同时降低了PCB设计成本。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种非易失性存储装置。

背景技术

闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，具有速度快、体积小、兼容性好、携带方便、容量大和寿命长的优点，被广泛应用于计算机、数码相机、手机和数字电视等电子产品中。

NOR闪存和NAND闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术，这两种非易失闪存技术各有其优缺点，NAND闪存的优点在于写入速度和擦除速度较快，缺点是随机存取的速率慢，而NOR闪存的优点是具有随机存取和对字节执行编程操作的能力，但是受到读和擦除速度慢的性能制约。

现有技术中，一般在一个印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)上通过两个串行外设接口(Serial Peripheral Interface，SPI)同时使用一个NAND闪存和一个NOR闪存，不能实现NAND闪存和NOR闪存的兼容，这样不仅会使得PCB成本较高，而且在控制上和硬件设计上带来很多不便。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种非易失性存储装置，来解决非易失性存储装置不能兼容两种非易失性闪存造成的PCB成本较高的问题。

本发明实施例提供了一种非易失性存储装置，所述装置包括第一闪存和第二闪存，其中，

所述第一闪存包括片选信号线和通信信号线，所述第一闪存用于当所述非易失性存储装置处于第一闪存模式下时，接收所述第一闪存能识别的操作指令，并执行所述第一闪存能识别的操作指令的操作；

所述第二闪存包括片选信号线和通信信号线，所述第二闪存的片选信号线与所述第一闪存连接，所述第二闪存的通信信号线与所述第一闪存的通信信号线连接，所述第二闪存用于当所述非易失性存储装置处于第二闪存模式下时，接收所述第二闪存能识别的操作指令，并执行所述第二闪存能识别的操作指令的操作。

进一步地，所述第一闪存还包括模式识别电路、控制电路和译码电路，其中，

所述模式识别电路与第一闪存的片选信号线和通信信号线连接，并与所述控制电路和译码电路连接，所述模式识别电路用于判断所述非易失性存储装置的工作模式，根据所述工作模式控制所述控制电路和译码电路，其中，所述工作模式包括第一闪存工作模式和第二闪存工作模式；

所述控制电路的第一端与模式识别电路连接，所述控制电路的第二端与第一闪存的片选信号线连接，所述控制电路的第三端与第二闪存的片选信号线连接，所述控制电路用于控制第二闪存的片选信号线的接通或关闭；

所述译码电路的第一端与第一闪存的片选信号线和通信信号线连接，所述译码电路的第二端与所述模式识别电路连接，所述译码电路用于对所述第一闪存接收到的能被第一闪存识别的操作指令进行译码。

进一步地，所述模式识别电路用于判断所述非易失性存储装置的工作模式，根据所述工作模式控制所述控制电路和译码电路包括：