[发明专利]半导体装置封装体

权利要求书

1.一种半导体装置封装体，包含：

一基板；

一晶体管，置于该基板上，该晶体管包含：

一有源层；

至少一源极，位于该有源层上，且该源极在该有源层上的正投影形成一源极区域；

至少一漏极，位于该有源层上，该漏极与该源极分开，且该漏极在该有源层上的正投影形成一漏极区域；

至少一栅极，位于该有源层上方，并介于该源极与该漏极之间；

一第一绝缘层，至少覆盖部分该源极与部分该漏极，该第一绝缘层具有至少一源极通孔与至少一漏极通孔于其中；

一第一源极垫，位于该第一绝缘层上，且该第一源极垫在该有源层上的正投影形成一源极垫区域，该源极垫区域与该漏极区域至少部分重叠，且该源极垫区域与该漏极区域的重叠面积，小于或等于40％的该漏极区域的面积；

一第一漏极垫，位于该第一绝缘层上；

至少一源极插塞，位于该源极通孔中，并电性连接该第一源极垫与该源极；以及

至少一漏极插塞，位于该漏极通孔中，并电性连接该第一漏极垫与该漏极；以及

一导线架，置于该基板相对该晶体管的一侧，且电性连接该栅极。

2.根据权利要求1的半导体装置封装体，还包含：

一栅极接脚，电性连接该导线架与该栅极；以及

一源极接脚与一漏极接脚，分别电性连接该源极与该漏极，且分别与该导线架电性绝缘。

3.根据权利要求1的半导体装置封装体，还包含：

一间绝缘层，置于该导线架与该基板之间。

4.根据权利要求3的半导体装置封装体，其中该基板与该导线架之间的栅极与漏极间寄生电容小于该基板与该有源层之间的栅极与漏极间寄生电容。

5.一种半导体装置封装体，包含：

一基板；

一晶体管，置于该基板上，该晶体管包含：

一有源层；

至少一源极，位于该有源层上，且该源极在该有源层上的正投影形成一源极区域；

至少一漏极，位于该有源层上，该漏极与该源极分开，且该漏极在该有源层上的正投影形成一漏极区域；

至少一栅极，位于该有源层上方，并介于该源极与该漏极之间；

一第一绝缘层，至少覆盖部分该源极与部分该漏极，该第一绝缘层具有至少一源极通孔与至少一漏极通孔于其中；

一第一源极垫，位于该第一绝缘层上，且该第一源极垫在该有源层上的正投影形成一源极垫区域，该源极垫区域与该漏极区域至少部分重叠，且该源极垫区域与该漏极区域的重叠面积，小于或等于40％的该漏极区域的面积；

一第一漏极垫，位于该第一绝缘层上；

至少一源极插塞，位于该源极通孔中，并电性连接该第一源极垫与该源极；以及

至少一漏极插塞，位于该漏极通孔中，并电性连接该第一漏极垫与该漏极；以及

一导线架，置于该基板相对于该晶体管的一侧，且分别与该栅极、该源极与该漏极电性绝缘。

6.根据权利要求5的半导体装置封装体，还包含：

一栅极接脚、一源极接脚与一漏极接脚，分别电性连接该栅极、该源极与该漏极。