[发明专利]平面光波导器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410154161.6 | 申请日： | 2014-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103926649A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 向舟翊;李朝阳 | 申请（专利权）人： | 四川飞阳科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 610209 四川省成都市双*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 波导 器件 制作方法 | ||
1.一种平面光波导器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底的一侧表面上依次层叠有下包层和芯层材料层；
在所述芯层材料层背离所述衬底一侧的表面上形成多晶硅层，所述形成多晶硅层的环境温度为500℃～600℃。
2.根据权利要求1所述的平面光波导器件的制作方法，其特征在于，所述形成多晶硅层的环境温度为550℃。
3.根据权利要求1或2所述的平面光波导器件的制作方法，其特征在于，所述形成多晶硅层的环境压力为150mt～250mt。
4.根据权利要求3所述的平面光波导器件的制作方法，其特征在于，所述形成多晶硅层的环境压力为200mt。
5.根据权利要求1所述的平面光波导器件的制作方法，其特征在于，所述形成多晶硅层所采用的工艺为低压化学气相沉积工艺。
6.根据权利要求1所述的平面光波导器件的制作方法，其特征在于，在所述形成多晶硅层之后包括：
在所述多晶硅层背离所述衬底一侧的表面上形成光刻胶层；
图案化所述光刻胶层，使所述光刻胶层具有待形成芯层的图案；
以所述光刻胶层为掩膜，图案化所述多晶硅层，使所述多晶硅层具有待形成芯层的图案；
以所述多晶硅层为掩膜，图案化所述芯层材料层，形成芯层；
在所述芯层背离所述衬底一侧的表面上形成上包层。
7.根据权利要求6所述的平面光波导器件的制作方法，其特征在于，所述图案化所述多晶硅层所采用的工艺为干法刻蚀工艺。
8.根据权利要求6所述的平面光波导器件的制作方法，其特征在于，所述图案化所述芯层材料层所采用的工艺为干法刻蚀工艺。
9.根据权利要求6所述的平面光波导器件的制作方法，其特征在于，所述形成上包层所采用的工艺为化学气相沉积工艺。
10.根据权利要求1所述的平面光波导器件的制作方法，其特征在于，形成所述芯层材料层所采用的工艺为化学气相沉积工艺。
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