[发明专利]双面电极太阳能电池及太阳能电池阵列在审

专利信息
申请号: 201410127670.X 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN103985771A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 花国然;王强;朱海峰;程实 申请(专利权)人: 南通大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/042
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 孟阿妮
地址: 226019 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 双面 电极 太阳能电池 阵列
【说明书】:

技术领域

发明涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种双面电极太阳能电池及太阳能电池阵列。

背景技术

随着经济的发展,人们的生活水平越来越高,对能源的需求越来越多,同时由于全球能源的持续短缺以及近年来环保意识逐渐抬头,因此目前如何提供环保、干净又不失效能的能源是人们最关心的议题。在各种替代性能源中,利用太阳光经由光电能量的转换而产生电能的太阳能电池,是目前所广泛应用且积极研发的技术。

随着相关产业持续投入研发太阳能电池,开发出了双面太阳能电池,通过双面受光的设计,使太阳能电池的两个表面皆可接收光线,并将太阳能转换为电能,进而可以更有效率的提升太阳能电池的能量。但是,传统的双面太阳能电池需要通过蚀刻、打孔等工艺方法形成正负电极,工艺复杂,正面电极和背面电极通过PN结相连接,电流损耗较大,并且无法在大面积的电池上制备。

本发明提供的一种双面电极太阳能电池工艺简单,并且在原有的基础上增加了一个正电极,在使用的过程中更加方便并且节省材料,电流的损耗也更小,在大面积制备和使用过程中都更加的方便。

发明内容

在下文中给出关于本发明的简要概述,以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解,这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分,也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念,以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本发明提供了一种双面电极太阳能电池,该电池相对于现有的双PN结太阳能电池制造工艺步骤减少,并且增加了一个正电极,可以减少电流的损耗的同时便于大面积制备。

本发明提供一种双面电极太阳能电池,包括:P型硅基板,所述P型硅基板前后表面包覆有N型导体,并在P型硅基板和N型导体界面处扩散形成有PN结;所述P型硅基板上层的部分区域形成有电极通道,所述电极通道中形成有正电极,未形成有正电极的区域上形成有顶电极;所述P型硅基板下层形成有底电极,所述正电极通过外电路与所述底电极或所述顶电极连接。

另外,本发明还提供一种太阳能电池阵列,包括多个阵列分布的所述的双面电极太阳能电池,至少一双面电极太阳能电池的正电极与相邻的另一双面电极太阳能电池,至少一双面电极太阳能电池的正电极与相邻的另一双面电极太阳能电池的底电极通过外电路连接。

本发明提供的双面电极太阳能电池,相比现有的双PN结太阳能电池增加了正电极,所述正电极与原有的两个电极通过外电路连接,电路连接更加方便,同时电流的损耗也相应减小;并且所述的太阳能电池无论从哪个角度看都被一个环形的PN结包围,对光线的吸收率增加了,并且减少了制造过程中等离子刻边和去除背结这两个步骤,工艺简单化了。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1至图5为本发明双面电极太阳能电池制备过程结构图

附图标记:

1-P型硅基板; 2-N型导体;  3-氧化层;  4-减反射膜;

5-正电极;    6-底电极;   7-顶电极;

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意,为了清楚的目的,附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例一:

如图5所示为本发明提供的双面电极太阳能电池的结构示意图,包括:P型硅基板1,所述P型硅基板前后表面包覆有N型导体2,并在P型硅基板1和N型导体2界面处扩散形成有PN结;所述P型硅基板上层的部分区域形成有电极通道,所述电极通道中形成有正电极5,未形成有正电极的区域上形成有顶电极7;所述P型硅基板下层形成有底电极6,所述正电极通过外电路与所述底电极或所述顶电极连接。

如图1所示,首先提供P型硅基板。

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