[发明专利]双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法

权利要求书

1.一种双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，包括如下步骤：

(A)在一衬底上依次生长下接触层、下量子阱层、中间接触层、上量子阱层和上接触层；

(B)在上接触层上制作正面光栅，并在正面光栅上沉积金属层，该金属层为上电极；

(c)在金属层上向下刻蚀，形成隔离槽和上台面，刻蚀深度到达衬底内，使隔离槽两侧的像元完全隔离；

(D)刻蚀每个隔离槽一侧的侧壁，刻蚀深度到达中间接触层内，形成中台面，刻蚀每个隔离槽另一侧的侧壁，刻蚀深度到达下接触层内，形成下台面；

(E)在中台面上制作中间电极，在下台面上制作下电极，形成基片；

(F)在基片的表面生长一层钝化层，在钝化层对应的中间电极、下电极和上电极处腐蚀出电极孔；

(G)在钝化层的表面生长引出金属层，把中间电极、下电极和上电极引出到上台面；

(H)在引出金属层的基片表面生长二次钝化层，在二次钝化层上腐蚀出引线孔，并在引线孔中生长加厚金属，形成样片；

(I)把样片分割成面阵的管芯，并与读出电路进行互连；

(J)对面阵的管芯进行衬底减薄；

(K)在减薄后的衬底的背面制作背面光栅，完成制备。

2.根据权利要求1所述的双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，其中所述的衬底的材料为半绝缘砷化镓。

3.根据权利要求1所述的双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，其中所述的下接触层、中间接触层和上接触层的材料为n型砷化镓。

4.根据权利要求1所述的双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，其中所述的下量子阱层和上量子阱层为多周期结构。

5.根据权利要求1所述的双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，其中上台面、中台面和下台面上与半导体材料直接接触的金属为金锗镍合金。

6.根据权利要求1所述的双光栅双色量子阱红外探测器面阵的制作方法，其中引出金属层和加厚金属为钛金。