[发明专利]监测方法

权利要求书

1.一种监测方法，用于在线监测SiGe结构和STI界面性能，所述监测方法包括：

设计SiGe结构与N型阱形成的面积型PN结的版图；

设计多个边缘型PN结并联结构，所述多个边缘型PN结的结面积与所述面积型PN结的结面积相同；

在器件制造过程中在衬底上形成所述边缘型PN结和面积型PN结；

在线测量两种PN结的漏电流并记录；

进行归一化计算，分别计算出面积型PN结归一化电流IL_AP和边缘型PN结归一化电流IL_EP；

计算归一化电流之差ΔIL，ΔIL=IL_AP-IL_EP；

进行IL_AP、IL_EP及ΔIL的数据分析，判断SiGe结构和STI的界面性能。

2.如权利要求1所述的监测方法，其特征在于：进行IL_AP、IL_EP及ΔIL的数据分析方法为：将IL_AP、IL_EP及ΔIL与标准范围对比，当PN结有异常时，IL_AP及IL_EP同时异常；当SiGe结构和STI界面异常时，IL_AP正常、IL_EP与ΔIL异常。

3.如权利要求1所述的监测方法，其特征在于：在选择性外延生长SiGe工艺形成COMS器件的过程中，在衬底上形成上述的两种PN结。

4.如权利要求3所述的监测方法，其特征在于：在衬底上形成所述边缘型PN结的结面积与所述面积型PN结的步骤包括：

进行浅沟槽隔离制作，以在衬底上形成浅沟槽隔离结构；

进行阱注入，形成P型阱或N型阱，同时形成边缘型PN结和面积型PN结的N型阱；

形成栅极；

进行轻掺杂注入，形成漏轻掺杂结构；

在栅极侧壁上制作栅极第一侧墙；

进行选择性外延生长SiGe工艺，在源漏区域形成重掺杂的SiGe结构，在边缘型PN结和面积型PN结的N型阱上形成边缘型PN结和面积型PN结的SiGe结构，以形成边缘型PN结和面积型PN结；

制作栅极第二侧墙，进行源漏注入以形成源漏极，以及进行金属前介质、通孔、金属插塞和金属层的制作步骤。

5.如权利要求4所述的监测方法，其特征在于：所述栅极为多晶硅材质。

6.如权利要求4所述的监测方法，其特征在于：通过P型掺杂源漏极注入形成P型的源漏极，所述P型掺杂为硼掺杂。

7.如权利要求4所述的监测方法，其特征在于：所述选择性外延生长SiGe工艺包括，对要形成SiGe结构的区域进行回刻工艺，然后选择性外延生长SiGe结构。