[发明专利]非易失性存储装置、读取数据方法、存储系统及操作方法

说明书

提供一种非易失性存储装置、读取数据方法、存储系统及操作方法。在从非易失性存储装置读取数据的方法中，通过将第一读取电压施加到第一字线来执行针对结合到第一字线的存储单元的第一读取操作。执行第一读取重试操作以获得最佳读取电平而不管或不依赖于通过第一读取操作读取的数据是否是可纠错的，并存储所述最佳读取电平以使用所述最佳读取电平来执行随后的第二读取操作。也公开了相关方法和装置。

本申请要求于2013年3月15日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0027722号韩国专利申请的权益，该申请的全部内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思总体上涉及非易失性存储装置，更具体地讲，涉及从非易失性存储装置读取数据的方法、非易失性存储装置和操作存储系统的方法。

背景技术

非易失性存储装置（诸如闪存装置）中的各个存储单元可根据多个阈值电压分布来存储数据，其中，每个阈值电压分布被分配给存储的数据的相应的逻辑状态。可通过确定在施加预定读取电压时存储单元是导通还是截止，来读取由存储单元存储的数据。

在存储单元的编程期间（和/或之后），其期望的阈值电压分布可因包括（例如）电荷泄露、编程干扰、字和/或位线结合、温度改变、电压改变等的多个事件或条件而不期望地偏移或加宽。一旦存储单元的阈值电压分布因此而改变，则可能变得难以准确地读取存储的数据的逻辑状态。在一些示例中，逻辑状态可变得难以识别并且可发生读取失败。一旦发生读取失败，则传统的非易失性存储装置可执行所谓的“读取重试”操作。

通常，在读取重试期间，非易失性存储装置可迭代地执行读取操作。在读取操作的每个逐次迭代期间，可连续增大或减小施加的读取电压的电平直到读取操作未导致读取失败为止。然而，在读取重试操作期间使用重复的读取操作可总是延长从非易失性存储装置成功地读取数据所需的时间。

发明内容

一些示例实施例提供一种能够减少平均读取时间和/或平均读取延迟的从非易失性存储装置读取数据的方法。

一些示例实施例提供一种能够减少平均读取时间和/或平均读取延迟的非易失性存储装置。

一些示例实施例提供一种能够减少平均读取时间和/或平均读取延迟的操作存储系统的方法。

根据示例实施例，一种操作非易失性存储装置的方法，所述方法包括：通过将第一读取电压施加到结合到存储装置的存储单元的第一字线来执行读取操作以从所述存储单元读取数据。响应于执行读取操作并且不依赖于在读取操作中读取的数据通过纠错码是否纠错来执行读取重试操作以从存储单元读取数据；响应于读取重试操作确定与第一读取电压不同的可纠错读取电压。

在一些示例实施例中，可响应于确定数据通过纠错码可纠错来执行读取重试操作。

在一些示例实施例中，存储单元可与存储块的第一页相应。可通过将可纠错读取电压施加到结合到与存储块的第二页相应的存储单元的第二字线来执行随后的读取操作以从与存储块的第二页相应的存储单元读取数据。

在一些示例实施例中，在随后的读取操作中读取的数据通过纠错码可纠错的概率可响应于执行读取重试操作而增大。

在一些示例实施例中，根据在随后的读取操作中读取的数据通过纠错码是否可纠错而选择性地执行或省略针对第二页的随后的读取重试操作。随后的读取重试操作的读取重试电压可基于第一读取重试电压与可纠错读取电压之间的关系。

在一些示例实施例中，读取操作可以是指示在之前的读取操作中读取的数据的可靠性的软判决读取操作，随后的读取操作可以是指示与第二页相应的存储单元的第一状态还是第二状态的硬判决读取操作。

在一些示例实施例中，读取操作可以是指示第一页相对于先前读取页的顺序的顺序读取操作，随后的读取操作可以是与第二页相对于第一页的顺序无关的随机读取操作。