[发明专利]非易失性存储器擦除电压的调整方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器擦除电压的调整方法，所述非易失性存储器的芯片具有阵列的存储单元，所述非易失性存储器擦除电压的调整方法包括：对所述非易失性存储器的芯片内所有的所述存储单元同时进行擦除电压调整。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器擦除电压的调整方法，其特征在于，所述非易失性存储器的芯片包括寄存器，所述寄存器具有若干档位，所述非易失性存储器擦除电压的调整方法包括：

第一步：使所述非易失性存储器的芯片进入测试模式；

第二步：选择所述寄存器的其中一个档位；

第三步：使所述非易失性存储器的芯片进入擦除模式；

第四步：检测当前档位下的所述非易失性存储器的档位擦除电压；

第五步：重复所述第二步至第四步，直到记录到所有档位下所对应的所述非易失性存储器的档位擦除电压；

第六步：选择与一目标电压的数值最接近的档位擦除电压，并查找出与所述档位擦除电压对应的档位，在所述寄存器输入与所述档位擦除电压对应的档位，将所述非易失性存储器的芯片的擦除电压进行调整。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器擦除电压的调整方法，其特征在于，所述寄存器具有16个档位。

4.如权利要求2所述的非易失性存储器擦除电压的调整方法，其特征在于，所述使所述非易失性存储器的芯片进入擦除模式的步骤包括：

将第一电压施加到所述使所述非易失性存储器的芯片的所有字线上，并且将0电压施加到所述非易失性存储器的芯片的所有位线、所有源极以及衬底上。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器擦除电压的调整方法，其特征在于，所述第一电压为5V～30V。

6.如权利要求2所述的非易失性存储器擦除电压的调整方法，其特征在于，所述非易失性存储器为快闪。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器擦除电压的调整方法，其特征在于，所述快闪的特征尺寸为90nm。