[发明专利]背栅极式非易失性内存单元

权利要求书

1.一种内存装置，其包含：

衬底包含顶部或本体衬底与底部或基础衬底；以及

布置于该衬底之上的内存单元，其中该内存单元包含单晶体管，该单晶体管包括布置于该顶部或本体衬底之上作用为控制栅极的第一栅极、以及布置于该底部或基础衬底中作用为选择栅极的第二栅极；其中该第二栅极包括第二极性掺杂背栅极控制层于第一极性带部/井部上方，该第一极性带部/井部是布置于该底部或基础衬底上方及内部，用以隔离该第二极性掺杂背栅极控制层。

2.根据权利要求1所述的内存装置，其中该第二栅极对该第一栅极为背栅极。

3.根据权利要求1所述的内存装置，其中该衬底为包括绝缘体层的绝缘体上结晶(COI)衬底，其中该绝缘体层包含由该顶部或本体衬底与该底部或基础衬底合夹的埋置型氧化物(BOX)层。

4.根据权利要求3所述的内存装置，其中该顶部或本体衬底包含硅，从而形成硅本体。

5.根据权利要求4所述的内存装置，其中嵌入于该衬底中的该第二栅极是布置于该底部或基础衬底上方及内部。

6.根据权利要求3所述的内存装置，其中该顶部或本体衬底的厚度小于约30纳米，以及该埋置型氧化物层的厚度小于约5纳米。

7.根据权利要求6所述的内存装置，其中该埋置型氧化物层及该第二极性掺杂背栅极控制层充当该第二栅极以控制该内存装置阈值电压。

8.根据权利要求7所述的内存装置，其中该第一栅极包括第一栅极电极及第一栅极电介质，其中该第一栅极电介质包含电介质堆栈，该电介质堆栈包括电荷捕捉层。

9.一种用于形成内存装置的方法，其包含：

提供包含顶部或本体衬底与底部或基础衬底的衬底；以及

在该衬底之上形成内存模块，其中形成该内存模块包含在该顶部或本体衬底之上形成作用为控制栅极的第一栅极，以及在该底部或基础衬底中形成作用为选择栅极的第二栅极；其中该第二栅极包括第二极性掺杂背栅极控制层于第一极性带部/井部上方，该第一极性带部/井部是布置于该底部或基础衬底上方及内部，用以隔离该第二极性掺杂背栅极控制层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中该第二栅极对该第一栅极为背栅极。

11.根据权利要求9所述的方法，其中该衬底包含在该顶部或本体衬底与该底部或基础衬底之间具有埋置型氧化物(BOX)层的绝缘体上结晶(COI)衬底。

12.根据权利要求11所述的方法，其中该顶部或本体衬底包含硅，从而形成硅本体。

13.根据权利要求11所述的方法，其包含在该底部或基础衬底上方及内部形成背栅极控制层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中该顶部或本体衬底的厚度小于约30纳米，以及该埋置型氧化物层的厚度小于约5纳米。

15.根据权利要求14所述的方法，其中该埋置型氧化物层及该第二极性掺杂背栅极控制层充当该第二栅极以控制该内存装置阈值电压。

16.根据权利要求15所述的方法，其中形成该第一栅极进一步包含形成第一栅极电极及第一栅极电介质，其中该第一栅极电介质包含电介质堆栈，该电介质堆栈包括电荷捕捉层。

17.根据权利要求16所述的方法，其更包含对该背栅极控制层施加偏压以将资料存储在该内存装置中。